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  • 型号: BC857BLP4-7B
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC857BLP4-7B由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC857BLP4-7B价格参考。Diodes Inc.BC857BLP4-7B封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BC857BLP4-7B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC857BLP4-7B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP 45V 100MA DFN1006H4-3两极晶体管 - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated BC857BLP4-7B-

数据手册

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产品型号

BC857BLP4-7B

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

650mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

220 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

3-DFN1006H4(1.0x0.6)

其它名称

BC857BLP4-7BDICT

功率-最大值

250mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

3-XFDFN

封装/箱体

DFN1006H4-3

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

250 mW

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

220

系列

BC857BL

集电极—发射极最大电压VCEO

- 45 V

集电极连续电流

- 100 mA

频率-跃迁

100MHz

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