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  • 型号: BC857AT,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BC857AT,115产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR PNP 45V 100MA SC-75两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC857AT,115-

数据手册

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产品型号

BC857AT,115

PCN封装

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

125 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-75

其它名称

568-8007-2
934051100115
BC857AT T/R
BC857AT T/R-ND
BC857AT,115-ND

功率-最大值

150mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-75,SOT-416

封装/箱体

SOT-416

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

150 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.2 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

125 at 2 mA at 5 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

零件号别名

BC857AT T/R

频率-跃迁

100MHz

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