ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > BC857ALT1G
Datasheet下载- 型号： BC857ALT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC857ALT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC857ALT1G价格参考￥0.03-￥0.03。ON SemiconductorBC857ALT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 45V 100mA 100MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3（TO-236）。您可以下载BC857ALT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC857ALT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC857ALT1G 是由 ON Semiconductor 生产的单个双极晶体管 (BJT)，广泛应用于各种低功率模拟和数字电路中。以下是其主要应用场景： 1. 开关应用 BC857ALT1G 常用于低功耗的开关电路，例如在消费电子设备中的电源管理、信号切换等。它可以在饱和区和截止区之间快速切换，适用于需要高频率响应的应用场景。 2. 放大器电路 该晶体管可以作为小信号放大器的核心元件，用于音频放大器、传感器信号放大等场合。由于其低噪声特性和良好的线性度，BC857ALT1G 在要求高保真度的音频设备中表现优异。 3. 稳压电路 在一些简单的线性稳压器设计中，BC857ALT1G 可以用作调整管，帮助维持输出电压的稳定性。它能够在较小的电流范围内提供稳定的电压输出，适合用于对精度要求不高的场合。 4. 保护电路 BC857ALT1G 还可以用于过流保护和短路保护电路。通过检测负载电流的变化，晶体管可以在异常情况下迅速切断电源，保护系统免受损坏。 5. 逻辑电平转换 在不同的逻辑电平之间进行转换时，BC857ALT1G 可以作为电平转换器使用。它可以将较低的输入电压转换为较高的输出电压，或者反之亦然，适用于接口电路的设计。 6. 脉宽调制 (PWM) 控制 在 PWM 控制电路中，BC857ALT1G 可以用来驱动小型电机或LED等负载。通过调节占空比，可以控制负载的工作状态，实现亮度调节或速度控制等功能。 7. 温度传感器 由于 BC857ALT1G 的基极-发射极电压（Vbe）随温度变化具有一定的线性关系，因此它可以用于简单的温度传感电路中。通过测量 Vbe 的变化，可以间接获得温度信息。 总的来说，BC857ALT1G 凭借其低功耗、低成本和可靠性，在众多低功率应用中表现出色，适用于广泛的消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 45V 100MA SOT-23两极晶体管 - BJT 100mA 50V PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC857ALT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC857ALT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 650mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 125 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | BC857ALT1G-ND |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 15nA （ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 125 |
| 系列 | BC857AL |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 65 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.65 V |
| 集电极连续电流 | - 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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