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BC856BM3T5G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC856BM3T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC856BM3T5G价格参考。ON SemiconductorBC856BM3T5G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 65V 100mA 100MHz 265mW 表面贴装 SOT-723。您可以下载BC856BM3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC856BM3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC856BM3T5G 是一款 NPN 型低电压、小信号晶体管,属于 BC856 系列。它具有低饱和电压(Vce(sat))和高电流增益(hFE),适用于多种低功耗和高频应用场景。以下是 BC856BM3T5G 的一些典型应用场景: 1. 开关电路 BC856BM3T5G 可用于各种开关电路中,特别是在需要低导通压降的应用中。例如,在电源管理电路中,它可以作为负载开关,控制负载的通断。由于其低饱和电压特性,能够在大电流下保持较低的功耗,适合用于电池供电设备或便携式电子产品。 2. 信号放大 该晶体管适用于小信号放大器的设计,能够有效地放大微弱的模拟信号。其高电流增益使得它在音频放大器、传感器信号调理电路等应用中表现出色。BC856BM3T5G 的高频特性也使其适合用于高频信号的放大和处理,如无线通信中的射频前端电路。 3. 逻辑电平转换 在混合信号系统中,BC856BM3T5G 可以用于逻辑电平转换,将低电压信号(如来自微控制器的输出)转换为更高电压的驱动信号。这种应用场景常见于驱动继电器、LED 或其他需要较高驱动电流的设备。 4. 保护电路 BC856BM3T5G 还可以用于设计过流保护电路。通过检测电流的变化,晶体管可以在电流超过设定阈值时切断电路,防止损坏下游元件。这种保护机制广泛应用于电源适配器、充电器和其他电力电子设备中。 5. 脉宽调制 (PWM) 驱动 在 PWM 控制电路中,BC856BM3T5G 可以作为功率级驱动元件,用于调节电机速度、LED 亮度等。其快速开关特性和低饱和电压有助于提高效率,减少热量损失。 6. 传感器接口 BC856BM3T5G 也可以用于传感器接口电路,特别是那些需要对微弱信号进行放大的场合。例如,在温度传感器、压力传感器等应用中,它可以帮助增强信号,确保数据的准确传输。 总之,BC856BM3T5G 凭借其低饱和电压、高电流增益和高频特性,广泛应用于低功耗、高频和小信号处理的各种场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PNP GP 65V 100MA SOT-723两极晶体管 - BJT 100mA 65V PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC856BM3T5G- |
数据手册 | |
产品型号 | BC856BM3T5G |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 220 @ 2mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-723 |
其它名称 | BC856BM3T5GOSCT |
功率-最大值 | 265mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-723 |
封装/箱体 | SOT-723-3 |
工厂包装数量 | 8000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 265 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 65V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 |
系列 | BC856 SERIES |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 65 V |
集电极—基极电压VCBO | - 80 V |
集电极—射极饱和电压 | - 0.65 V |
集电极连续电流 | - 0.1 A |
频率-跃迁 | 100MHz |