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  • 型号: BC856BM3T5G
  • 制造商: ON Semiconductor
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BC856BM3T5G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC856BM3T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC856BM3T5G价格参考。ON SemiconductorBC856BM3T5G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 65V 100mA 100MHz 265mW 表面贴装 SOT-723。您可以下载BC856BM3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC856BM3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BC856BM3T5G 是一款 NPN 型低电压、小信号晶体管,属于 BC856 系列。它具有低饱和电压(Vce(sat))和高电流增益(hFE),适用于多种低功耗和高频应用场景。以下是 BC856BM3T5G 的一些典型应用场景:

 1. 开关电路
BC856BM3T5G 可用于各种开关电路中,特别是在需要低导通压降的应用中。例如,在电源管理电路中,它可以作为负载开关,控制负载的通断。由于其低饱和电压特性,能够在大电流下保持较低的功耗,适合用于电池供电设备或便携式电子产品。

 2. 信号放大
该晶体管适用于小信号放大器的设计,能够有效地放大微弱的模拟信号。其高电流增益使得它在音频放大器、传感器信号调理电路等应用中表现出色。BC856BM3T5G 的高频特性也使其适合用于高频信号的放大和处理,如无线通信中的射频前端电路。

 3. 逻辑电平转换
在混合信号系统中,BC856BM3T5G 可以用于逻辑电平转换,将低电压信号(如来自微控制器的输出)转换为更高电压的驱动信号。这种应用场景常见于驱动继电器、LED 或其他需要较高驱动电流的设备。

 4. 保护电路
BC856BM3T5G 还可以用于设计过流保护电路。通过检测电流的变化,晶体管可以在电流超过设定阈值时切断电路,防止损坏下游元件。这种保护机制广泛应用于电源适配器、充电器和其他电力电子设备中。

 5. 脉宽调制 (PWM) 驱动
在 PWM 控制电路中,BC856BM3T5G 可以作为功率级驱动元件,用于调节电机速度、LED 亮度等。其快速开关特性和低饱和电压有助于提高效率,减少热量损失。

 6. 传感器接口
BC856BM3T5G 也可以用于传感器接口电路,特别是那些需要对微弱信号进行放大的场合。例如,在温度传感器、压力传感器等应用中,它可以帮助增强信号,确保数据的准确传输。

总之,BC856BM3T5G 凭借其低饱和电压、高电流增益和高频特性,广泛应用于低功耗、高频和小信号处理的各种场景中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP GP 65V 100MA SOT-723两极晶体管 - BJT 100mA 65V PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC856BM3T5G-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

BC856BM3T5G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

650mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

220 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-723

其它名称

BC856BM3T5GOSCT

功率-最大值

265mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-723

封装/箱体

SOT-723-3

工厂包装数量

8000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

265 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

65V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

150

系列

BC856 SERIES

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 65 V

集电极—基极电压VCBO

- 80 V

集电极—射极饱和电压

- 0.65 V

集电极连续电流

- 0.1 A

频率-跃迁

100MHz

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