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Datasheet下载- 型号： BC850CW,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC850CW,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC850CW,115价格参考。NXP SemiconductorsBC850CW,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 45V 100mA 100MHz 200mW 表面贴装 SC-70。您可以下载BC850CW,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC850CW,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC850CW,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。它广泛应用于各种电子设备和电路中，主要用于信号放大和开关控制。以下是该型号晶体管的一些典型应用场景： 1. 信号放大 BC850CW,115 可用于音频放大器、传感器信号放大等场景。其低噪声特性和稳定的增益使其适合处理微弱信号，确保信号在传输过程中不失真。例如，在无线通信设备中，它可以用于放大接收到的微弱射频信号，提升接收灵敏度。 2. 开关应用 该晶体管常用于开关电源、电机驱动、LED驱动等需要快速切换的电路中。它的快速开关特性能够有效减少开关损耗，提高效率。例如，在DC-DC转换器中，BC850CW,115 可以作为开关元件，帮助实现电压调节。 3. 逻辑电平转换 在不同的数字电路之间进行电平转换时，BC850CW,115 可以起到桥梁作用。例如，将3.3V逻辑电平转换为5V逻辑电平，或者反之。通过适当的外围电路设计，它可以实现不同电压系统的兼容性。 4. 温度传感器接口 由于其对温度变化敏感，BC850CW,115 还可以用于温度测量电路中。通过监测集电极电流的变化，可以推算出环境温度的变化，适用于简单的温度监控系统。 5. 保护电路 在一些需要过流保护或短路保护的电路中，BC850CW,115 可以作为保护元件。当电流超过设定值时，晶体管会自动关断，防止后续电路受损。 6. 脉宽调制（PWM）控制 在PWM控制电路中，BC850CW,115 可以用于驱动负载，如电机、灯泡等。通过调节输入信号的占空比，可以精确控制输出功率，广泛应用于调光、调速等领域。 总结： BC850CW,115 晶体管具有广泛的应用场景，涵盖了信号放大、开关控制、电平转换、温度检测、保护电路以及PWM控制等多个领域。其稳定的工作性能和广泛的适用性使其成为许多电子产品中的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT323两极晶体管 - BJT TRANS LOW NOISE TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC850CW,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC850CW,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 420 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | Transistors - Arrays |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-6076-1 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 420 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 420 at 2 mA at 5 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 零件号别名 | BC850CW T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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