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Datasheet下载- 型号： BC850CLT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC850CLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC850CLT1G价格参考。ON SemiconductorBC850CLT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 45V 100mA 100MHz 225mW 表面贴装 SOT-23-3（TO-236）。您可以下载BC850CLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC850CLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的BC850CLT1G是一款单个双极晶体管（BJT），广泛应用于各种电子设备和电路中。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 BC850CLT1G常用于音频、射频（RF）和其他低功率信号的放大电路中。它能够有效地将微弱的输入信号放大到足够的幅度，适用于耳机放大器、麦克风前置放大器等设备。 2. 开关应用 该晶体管也可作为开关元件使用，特别是在数字电路中。它可以快速切换通断状态，适用于电源管理、继电器驱动、LED驱动等场景。例如，在PWM（脉宽调制）控制电路中，BC850CLT1G可以用来控制电机或LED的亮度。 3. 传感器接口 在传感器接口电路中，BC850CLT1G可用于信号调理，如将传感器输出的微小电流或电压信号转换为适合后续处理的电平。常见的应用包括温度传感器、光电二极管等。 4. 保护电路 BC850CLT1G还可以用于设计过流保护、过压保护等安全电路。通过检测异常电流或电压，晶体管可以在必要时切断电路，防止损坏其他关键组件。 5. 通信设备 在一些低功耗的通信设备中，BC850CLT1G可以用作信号调制和解调的元件，尤其是在无线通信模块中，它可以帮助实现频率调制、振幅调制等功能。 6. 消费电子产品 由于其小型化和低功耗的特点，BC850CLT1G广泛应用于各种便携式消费电子产品，如手机、平板电脑、智能手表等。它在这些设备中的作用主要是信号处理和电源管理。 7. 工业自动化 在工业控制系统中，BC850CLT1G可用于驱动执行器、传感器以及其他需要精确电流控制的元件。它的高可靠性和稳定性使其成为工业环境中不可或缺的元件之一。 总之，BC850CLT1G凭借其优异的性能和广泛的适用性，成为了许多电子电路设计中的首选元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN LP 100MA 45V SOT23两极晶体管 - BJT 100mA 50V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC850CLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC850CLT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 420 @ 2mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | BC850CLT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 420 |
| 系列 | BC850CL |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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