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Datasheet下载- 型号： BC849C,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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BC849C,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC849C,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC849C,215价格参考。NXP SemiconductorsBC849C,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 30V 100mA 100MHz 250mW 表面贴装 TO-236AB。您可以下载BC849C,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC849C,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BC849C,215 是一款双极型晶体管（BJT），具体为 NPN 型晶体管。它广泛应用于各种低功耗、小信号放大的应用场景中，以下是其主要的应用场景： 1. 音频放大器：BC849C,215 可用于设计小型音频放大器电路，适用于便携式设备或低功率音频系统。它能够提供稳定的增益和较低的噪声水平，适合对音质有一定要求但不需要大功率输出的应用。 2. 信号调理电路：在传感器信号调理电路中，该晶体管可以用来放大微弱的模拟信号。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，BC849C,215 能够将传感器输出的小信号进行初步放大，以便后续处理或传输。 3. 开关电路：作为开关元件，BC849C,215 可以在数字电路中用作信号切换或驱动小负载。例如，在逻辑电平转换、LED 驱动、继电器控制等场合，它可以实现高效的开关功能。 4. 电源管理：在一些简单的电源管理系统中，BC849C,215 可用于电流检测、过流保护等环节。通过监测电流变化并触发相应的保护机制，确保系统的稳定运行。 5. 通信设备：在无线通信模块中，该晶体管可用于射频前端电路中的低噪声放大（LNA）部分，提升接收灵敏度；或者用于调制解调器中的小信号处理。 6. 消费电子：如遥控器、玩具、智能家居设备等消费电子产品中，BC849C,215 也常被用作信号放大和开关控制元件，帮助实现基本的功能需求。 总之，BC849C,215 凭借其良好的性能参数和可靠性，成为众多低功耗、小信号应用场景的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23两极晶体管 - BJT TRANS LOW NOISE TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC849C,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC849C,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 420 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-6073-2 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 420 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 420 at 2 mA at 5 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 零件号别名 | BC849C T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
