ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > BC848CPDW1T1G
Datasheet下载- 型号： BC848CPDW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC848CPDW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC848CPDW1T1G价格参考￥0.10-￥0.10。ON SemiconductorBC848CPDW1T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载BC848CPDW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC848CPDW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC848CPDW1T1G是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极晶体管（BJT）阵列。该型号由多个BC848C NPN晶体管组成，采用SOT-23-6封装形式。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 BC848CPDW1T1G适用于低功率信号放大的应用。由于其NPN结构和相对较低的电流增益（hFE），它可以在音频设备、传感器信号调理电路等场景中用于放大微弱信号，确保信号不失真地传输到后续处理单元。 2. 开关电路 在数字电路中，BC848CPDW1T1G可以作为开关元件使用。例如，在电源管理模块、LED驱动电路或继电器控制电路中，它可以快速切换通断状态，实现对负载的有效控制。其低饱和电压和较快的开关速度有助于提高效率并减少功耗。 3. 模拟与混合信号电路 该器件适合应用于模拟与混合信号电路中的电流镜像、恒流源或线性稳压器等场合。通过合理设计外围电路，可以利用其稳定的电流传输特性来构建高精度的电流源或参考电压源。 4. 保护电路 BC848CPDW1T1G可用于过流保护、过温保护等保护电路中。当检测到异常情况时，晶体管可以迅速响应并切断电流路径，防止系统受到损害。 5. 通信设备 在一些小型通信设备如无线收发器、蓝牙模块等内部，BC848CPDW1T1G可能被用作前端射频电路中的缓冲放大器或混频器组件，以增强信号强度或改善接收灵敏度。 6. 消费电子产品 在诸如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费电子产品中，BC848CPDW1T1G可以用于各种辅助功能模块，如摄像头闪光灯控制、振动马达驱动等。 总之，BC848CPDW1T1G凭借其紧凑的封装和稳定的性能，在多种电子设备中扮演着重要角色，尤其适用于需要低功耗、小尺寸解决方案的应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 30V 100MA SOT363两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual Complementary |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC848CPDW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC848CPDW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 420 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | BC848CPDW1T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V at NPN, 5 V at PNP |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 380 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 270 |
| 系列 | BC848CPD |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 30 V, + 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 30 V, + 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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