ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > BC848CDW1T1G
Datasheet下载- 型号： BC848CDW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC848CDW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC848CDW1T1G价格参考。ON SemiconductorBC848CDW1T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 30V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载BC848CDW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC848CDW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的BC848CDW1T1G是一款双极晶体管（BJT）阵列，广泛应用于各种电子电路中。这款器件由四个NPN型晶体管组成，封装形式为SOT-23-6L，适用于需要高密度集成和小型化设计的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 BC848CDW1T1G常用于音频、射频（RF）和其他低噪声信号的放大电路中。由于其低噪声特性和较高的增益，适合用于前置放大器、麦克风放大器等场合，能够有效提升信号质量。 2. 开关应用 在数字电路中，该器件可以用作开关元件，控制电流的通断。例如，在电源管理电路中，它可以作为负载开关，控制不同模块的供电状态，从而实现节能和保护功能。 3. 逻辑电平转换 BC848CDW1T1G可以用于将低电压信号转换为高电压信号，或反之。这种应用常见于接口电路中，尤其是在不同的通信协议之间进行电平转换时，如RS-232与TTL电平之间的转换。 4. 传感器信号处理 在传感器系统中，BC848CDW1T1G可用于放大传感器输出的微弱信号，确保信号在传输过程中不失真。例如，温度传感器、压力传感器等的信号调理电路中，该器件可以起到关键作用。 5. 线性稳压器 该晶体管阵列还可以用于线性稳压器的设计中，作为功率管来调节输出电压。通过反馈回路控制，可以实现稳定的直流输出，适用于对电压精度要求较高的场合。 6. 脉宽调制（PWM）驱动 在电机驱动和LED调光等应用中，BC848CDW1T1G可以用于PWM信号的放大和驱动，确保负载能够接收到足够大的电流，同时保持高效能和低功耗。 7. 保护电路 该器件还可以用于过流保护、短路保护等电路中，通过检测异常电流并迅速切断电路，保护系统免受损坏。 总的来说，BC848CDW1T1G凭借其紧凑的封装、低功耗和高可靠性，适用于多种消费电子、工业控制、通信设备等领域，特别适合需要多通道、小尺寸和高性能的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 30V 100MA SOT363两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC848CDW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC848CDW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 420 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | BC848CDW1T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 380mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 380 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 420 |
| 系列 | BC848CDW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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