ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > BC848ALT1G
Datasheet下载- 型号： BC848ALT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC848ALT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC848ALT1G价格参考。ON SemiconductorBC848ALT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 30V 100mA 100MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3（TO-236）。您可以下载BC848ALT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC848ALT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC848ALT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的单个双极晶体管（BJT），广泛应用于各种低功率模拟和数字电路中。这款晶体管具有以下特点和应用场景： 1. 基本特性 - 类型：NPN 型双极晶体管 - 集电极-发射极电压 (VCEO)：50V - 集电极电流 (IC)：100mA - 功耗 (Ptot)：625mW - 封装形式：SOT-323（SC-88A），适合表面贴装技术（SMT） 2. 应用场景 2.1 开关应用 BC848ALT1G 常用于低功率开关电路，如： - 继电器驱动：通过晶体管控制继电器线圈的通断，实现对较大负载的开关控制。 - LED 驱动：用于控制 LED 的亮灭，特别是在需要多个 LED 的显示设备或指示灯中。 2.2 信号放大 该晶体管适用于小信号放大电路，如： - 音频放大器：在小型音频设备中，作为前置放大器或低功率输出级。 - 传感器信号放大：用于放大来自温度、压力等传感器的微弱信号，提升信号处理精度。 2.3 电源管理 - 低压差稳压器（LDO）：作为稳压器中的关键元件，帮助维持输出电压的稳定性。 - 过流保护电路：用于检测和限制电路中的过电流，防止损坏其他敏感元件。 2.4 通信设备 - 调制解调器：在低频段通信设备中，作为信号处理的关键元件。 - 无线模块：用于低功耗无线通信模块中的信号调理和放大。 2.5 消费电子 - 遥控器：用于红外发射部分，控制信号的发送。 - 智能家居设备：在智能插座、智能灯具等产品中，作为控制单元的一部分。 3. 总结 BC848ALT1G 晶体管以其小巧的封装和稳定的性能，特别适合用于低功率、紧凑型设计的电路中。它不仅能够胜任开关任务，还能在信号放大和电源管理等方面发挥重要作用。由于其低功耗和高可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 30V 100MA SOT23两极晶体管 - BJT 100mA 30V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC848ALT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC848ALT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 110 @ 2mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | BC848ALT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 15nA （ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 110 |
| 系列 | BC848AL |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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