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  • 型号: BC847S
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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BC847S产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC847S由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847S价格参考。Fairchild SemiconductorBC847S封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 200mA 200MHz 300mW Surface Mount SC-70-6。您可以下载BC847S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC847S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BC847S是由ON Semiconductor生产的双极晶体管(BJT)阵列,广泛应用于各种电子电路中。这种器件具有低饱和电压、高增益和良好的开关特性,使其在多个领域有广泛应用。

 1. 信号放大
BC847S可以用于音频放大器、射频(RF)放大器等场景中的小信号放大。由于其高增益特性,能够有效地放大微弱的输入信号,确保输出信号的质量和强度。例如,在无线通信设备中,BC847S可以作为前置放大器,提升接收信号的强度,从而提高系统的灵敏度。

 2. 开关应用
该器件的快速开关特性和低饱和电压使其非常适合用作开关元件。它可以在数字电路中充当逻辑开关,控制电流的通断。常见的应用场景包括电源管理、LED驱动、继电器控制等。例如,在汽车电子系统中,BC847S可以用于控制车灯、雨刷等设备的开关操作。

 3. 保护电路
BC847S还可以用于过流保护、过压保护等电路中。通过检测电流或电压的变化,当超过设定阈值时,BC847S可以迅速切断电路,防止下游设备受损。这种应用常见于电池管理系统(BMS)、电源适配器等设备中,确保系统的安全性和稳定性。

 4. 温度传感器
由于BC847S的基极-发射极电压(Vbe)随温度变化而变化,因此它可以用于温度测量电路中。通过监测Vbe的变化,可以推算出环境温度,进而实现温度补偿功能。这种应用常见于精密仪器、智能家居设备等需要温度监控的场合。

 5. 线性稳压器
在一些简单的线性稳压器设计中,BC847S可以用作调整管,帮助维持输出电压的稳定。通过反馈电路调节晶体管的工作点,可以实现较为稳定的直流输出电压。这种应用常见于便携式电子产品、嵌入式系统等对电源要求较高的场合。

总之,BC847S凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于信号放大、开关控制、保护电路、温度传感以及线性稳压等多个领域,是现代电子设计中不可或缺的重要元件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DUAL NPN 45V 200MA SC70-6两极晶体管 - BJT NPN GP AMP SC70-6

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor BC847S-

数据手册

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产品型号

BC847S

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

650mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

110 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-70-6

其它名称

BC847SDKR

功率-最大值

300mW

包装

Digi-Reel®

单位重量

28 mg

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

Fairchild Semiconductor

增益带宽产品fT

200 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

S-Mini

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 NPN(双)

最大功率耗散

310 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

630

直流集电极/BaseGainhfeMin

110

系列

BC847

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

集电极—射极饱和电压

0.65 V

集电极连续电流

200 mA

频率-跃迁

200MHz

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