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BC847S产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC847S由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847S价格参考。Fairchild SemiconductorBC847S封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 200mA 200MHz 300mW Surface Mount SC-70-6。您可以下载BC847S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC847S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC847S是由ON Semiconductor生产的双极晶体管(BJT)阵列,广泛应用于各种电子电路中。这种器件具有低饱和电压、高增益和良好的开关特性,使其在多个领域有广泛应用。 1. 信号放大 BC847S可以用于音频放大器、射频(RF)放大器等场景中的小信号放大。由于其高增益特性,能够有效地放大微弱的输入信号,确保输出信号的质量和强度。例如,在无线通信设备中,BC847S可以作为前置放大器,提升接收信号的强度,从而提高系统的灵敏度。 2. 开关应用 该器件的快速开关特性和低饱和电压使其非常适合用作开关元件。它可以在数字电路中充当逻辑开关,控制电流的通断。常见的应用场景包括电源管理、LED驱动、继电器控制等。例如,在汽车电子系统中,BC847S可以用于控制车灯、雨刷等设备的开关操作。 3. 保护电路 BC847S还可以用于过流保护、过压保护等电路中。通过检测电流或电压的变化,当超过设定阈值时,BC847S可以迅速切断电路,防止下游设备受损。这种应用常见于电池管理系统(BMS)、电源适配器等设备中,确保系统的安全性和稳定性。 4. 温度传感器 由于BC847S的基极-发射极电压(Vbe)随温度变化而变化,因此它可以用于温度测量电路中。通过监测Vbe的变化,可以推算出环境温度,进而实现温度补偿功能。这种应用常见于精密仪器、智能家居设备等需要温度监控的场合。 5. 线性稳压器 在一些简单的线性稳压器设计中,BC847S可以用作调整管,帮助维持输出电压的稳定。通过反馈电路调节晶体管的工作点,可以实现较为稳定的直流输出电压。这种应用常见于便携式电子产品、嵌入式系统等对电源要求较高的场合。 总之,BC847S凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于信号放大、开关控制、保护电路、温度传感以及线性稳压等多个领域,是现代电子设计中不可或缺的重要元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS DUAL NPN 45V 200MA SC70-6两极晶体管 - BJT NPN GP AMP SC70-6 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor BC847S- |
数据手册 | |
产品型号 | BC847S |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 110 @ 2mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SC-70-6 |
其它名称 | BC847SDKR |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 28 mg |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 200 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | S-Mini |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 NPN(双) |
最大功率耗散 | 310 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 630 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 110 |
系列 | BC847 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
集电极—基极电压VCBO | 50 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.65 V |
集电极连续电流 | 200 mA |
频率-跃迁 | 200MHz |