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  • 型号: BC847CW-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC847CW-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847CW-7-F价格参考¥0.11-¥0.16。Diodes Inc.BC847CW-7-F封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 45V 100mA 300MHz 200mW 表面贴装 SOT-323。您可以下载BC847CW-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC847CW-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BC847CW-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的 NPN 型晶体管,属于双极型晶体管(BJT)中的单个晶体管。它主要用于小信号放大和开关应用。以下是其典型应用场景:

 1. 小信号放大
BC847CW-7-F 可用于音频、射频等小信号放大电路中。由于其低噪声特性和较高的增益(hFE),它在需要高保真度的音频设备(如耳机放大器、麦克风前置放大器)中有广泛应用。此外,在无线通信设备中,该晶体管可以用于射频信号的初步放大,确保信号不失真地传输。

 2. 开关应用
该晶体管具有较低的饱和电压(Vce(sat)),因此非常适合用于开关电路。它可以用于控制LED、继电器、小型电机等负载。例如,在智能家居系统中,BC847CW-7-F 可以作为开关元件,通过微控制器控制灯光或家电的开闭。在电源管理电路中,它也可以用于电流检测或过流保护电路,确保系统安全运行。

 3. 逻辑电平转换
在不同电压级别的数字电路之间进行信号传输时,BC847CW-7-F 可以用作电平转换器。例如,在3.3V和5V逻辑电平之间进行转换时,该晶体管可以有效地将低电压信号转换为高电压信号,或者反之亦然。

 4. 温度传感器
由于晶体管的基极-发射极电压(Vbe)与温度成反比关系,BC847CW-7-F 还可以用于简单的温度传感电路中。通过测量Vbe的变化,可以推算出环境温度的变化,适用于一些对精度要求不高的温度监测场景。

 5. 振荡器电路
在一些低频振荡器电路中,BC847CW-7-F 可以作为有源元件参与振荡。例如,在定时器电路或时钟发生器中,该晶体管可以与其他无源元件(如电阻、电容)配合,生成稳定的时钟信号。

总之,BC847CW-7-F 晶体管以其良好的性能和广泛的适用性,在各种电子设备中发挥着重要作用,尤其是在需要小信号处理、开关控制和简单模拟电路的应用中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN BIPOLAR 45V SC70-3两极晶体管 - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated BC847CW-7-F-

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产品型号

BC847CW-7-F

PCN其它

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PCN设计/规格

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

600mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

420 @ 2mA,5V

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

BC847CW-FDIDKR

其它图纸

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

420

系列

BC847C

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

频率-跃迁

300MHz

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