ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > BC847BVN-7
Datasheet下载- 型号： BC847BVN-7
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC847BVN-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847BVN-7价格参考￥0.78-￥3.18。Diodes Inc.BC847BVN-7封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 45V 100mA 300MHz, 200MHz 150mW Surface Mount SOT-563。您可以下载BC847BVN-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC847BVN-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC847BVN-7是由Diodes Incorporated制造的晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列。该器件由多个双极型晶体管组成，广泛应用于需要高性能、低噪声和高可靠性的电路设计中。 应用场景： 1. 信号放大与处理： BC847BVN-7适用于各种信号放大应用，例如音频放大器、传感器信号调理电路等。其低噪声特性使得它在需要高保真度的音频设备中表现出色，如耳机放大器、音响系统等。 2. 开关电路： 该器件可以用于开关电路中，例如电源管理、继电器驱动等。其快速开关特性和低饱和电压使其成为高效开关应用的理想选择。它可以用于DC-DC转换器、LED驱动器等电路中，实现高效的电源管理。 3. 保护电路： BC847BVN-7还可以用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测电流并控制负载电流，它可以有效防止电路因过载或短路而损坏，确保系统的稳定性和安全性。 4. 通信设备： 在通信设备中，BC847BVN-7可用于射频（RF）前端模块、调制解调器等。其高频性能和低噪声特性使其适合用于无线通信、蓝牙模块等设备中，确保信号传输的稳定性和可靠性。 5. 消费电子： 该器件广泛应用于消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能手表等。它可以在这些设备中用于音频处理、电源管理、传感器接口等功能模块，提升产品的性能和用户体验。 6. 工业自动化： 在工业自动化领域，BC847BVN-7可用于电机驱动、传感器接口、PLC（可编程逻辑控制器）等应用。其高可靠性和耐用性使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作，满足工业自动化对高性能和可靠性的要求。 总之，BC847BVN-7凭借其优异的电气性能和可靠性，在多种应用场景中展现出广泛的应用潜力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT563两极晶体管 - BJT BIPOLAR COMP. |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated BC847BVN-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC847BVN-7 |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | BC847BVN7 |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V at NPN, 5 V at PNP |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz, 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | BC847BV |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 频率-跃迁 | 300MHz，200MHz |
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