ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > BC847BTT1G
Datasheet下载- 型号： BC847BTT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC847BTT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847BTT1G价格参考￥0.10-￥0.10。ON SemiconductorBC847BTT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 45V 100mA 100MHz 225mW 表面贴装 SC-75，SOT-416。您可以下载BC847BTT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC847BTT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC847BTT1G 是由 ON Semiconductor 生产的单个双极晶体管 (BJT)，具体为 NPN 型硅晶体管。这种晶体管广泛应用于各种电子设备中，主要用于信号放大和开关功能。 应用场景： 1. 信号放大： BC847BTT1G 可用于音频放大器、射频 (RF) 放大器等需要小信号放大的电路中。它能够将微弱的输入信号放大到足够驱动后续电路或负载的程度。例如，在耳机放大器、麦克风前置放大器等应用中，BC847BTT1G 可以提供必要的增益，确保音频信号清晰且不失真。 2. 开关应用： 该晶体管常用于数字电路中的开关元件。它可以替代机械继电器，实现更快速、更可靠的开关操作。典型的应用包括电源管理电路、LED 驱动、电机控制等。在这些应用中，BC847BTT1G 能够根据控制信号快速导通或截止，从而控制负载的工作状态。 3. 传感器接口： 在传感器接口电路中，BC847BTT1G 可以作为信号调理元件。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，它可以帮助将传感器输出的微弱信号放大到适合后续处理的水平。此外，它还可以用于传感器的供电控制，通过开关功能实现对传感器电源的精确管理。 4. 通信设备： BC847BTT1G 还可用于通信设备中的低噪声放大器 (LNA) 和混频器电路。在这些应用中，它能够放大接收到的微弱射频信号，同时保持较低的噪声水平，从而提高通信系统的性能。 5. 消费电子产品： 在手机、平板电脑、智能家居设备等消费电子产品中，BC847BTT1G 可以用于内部的小信号处理和开关控制。它的低功耗特性和紧凑封装使其非常适合便携式设备的设计。 总之，BC847BTT1G 晶体管以其优异的性能和广泛的适用性，在各类电子设备中发挥着重要作用。无论是信号放大还是开关控制，它都能提供稳定可靠的表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN LP 100MA 45V SC75-3两极晶体管 - BJT 100mA 50V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC847BTT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC847BTT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-75，SOT-416 |
| 其它名称 | BC847BTT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SC-75-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | BC847BT |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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