ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > BC847BS,135
Datasheet下载- 型号： BC847BS,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC847BS,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847BS,135价格参考。NXP SemiconductorsBC847BS,135封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载BC847BS,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC847BS,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC847BS,135 是 Nexperia USA Inc. 生产的双极晶体管 (BJT) 阵列。这种器件由多个双极晶体管组成，通常用于需要多路信号放大的应用场景中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 音频放大电路 BC847BS,135 可以用于音频设备中的前置放大器或功率放大器。由于其低噪声特性和良好的线性度，它能够有效地放大音频信号，同时保持较高的保真度。在多声道音频系统中，多个晶体管可以并行工作，处理不同的音频通道。 2. 开关电路 该晶体管阵列也适用于开关应用，尤其是在需要多个独立控制的开关电路中。例如，在电源管理模块中，BC847BS,135 可以用于控制多个负载的通断，或者作为逻辑电平转换器，将低电压信号转换为高电压信号。 3. 传感器信号调理 在传感器信号调理电路中，BC847BS,135 可以用于放大微弱的传感器输出信号。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，晶体管阵列可以提供足够的增益，确保信号能够在后续处理阶段被准确读取和处理。 4. 通信设备 在通信领域，BC847BS,135 可用于射频（RF）前端电路中的信号放大。它能够处理高频信号，并且具有较低的噪声系数，适合用于无线通信设备、收发器等场景。 5. 工业控制 在工业自动化系统中，BC847BS,135 可以用于驱动继电器、电机或其他执行机构。通过多个晶体管的协同工作，它可以实现对多个设备的精确控制，广泛应用于工厂自动化、机器人技术等领域。 6. 消费电子产品 在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑等，BC847BS,135 可用于电源管理、背光控制等功能模块。其紧凑的设计和高效的性能使得它成为这些产品中的理想选择。 总之，BC847BS,135 晶体管阵列凭借其优异的电气特性，广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要多路信号处理和放大的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 45V 100MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-11 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC847BS,135- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC847BS,135 |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934042520135 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 2 mA at 5 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 零件号别名 | /T3 BC847BS |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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