ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > BC847AW-7-F
Datasheet下载- 型号： BC847AW-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC847AW-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847AW-7-F价格参考。Diodes Inc.BC847AW-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 45V 100mA 300MHz 200mW 表面贴装 SOT-323。您可以下载BC847AW-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC847AW-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的BC847AW-7-F是一款NPN型双极晶体管（BJT），属于小型信号晶体管，广泛应用于各种低功率电路中。其主要应用场景包括： 1. 开关应用：BC847AW-7-F常用于数字电路中的开关应用，例如驱动LED、继电器或小型电机。它能够在低电流条件下提供稳定的开关性能，确保电路的可靠性和效率。 2. 信号放大：该晶体管适用于音频信号放大、传感器信号调理等场景。由于其低噪声特性和良好的增益特性，可以在需要精确信号放大的场合中发挥重要作用。 3. 电源管理：在一些简单的电源管理电路中，如线性稳压器或低压差稳压器（LDO）中，BC847AW-7-F可以作为辅助元件，帮助调节输出电压或电流。 4. 保护电路：在过流保护、短路保护等电路设计中，BC847AW-7-F可以用作检测和响应元件，及时切断故障电流，保护整个系统免受损坏。 5. 通信设备：在某些低频通信设备中，如对讲机、无线发射接收模块等，BC847AW-7-F可用于信号调制、解调以及功率放大等环节，确保信号传输的稳定性和可靠性。 6. 消费电子：该晶体管还常见于家用电器、玩具、遥控器等消费电子产品中，负责处理小信号和低功率任务，如按钮控制、指示灯驱动等。 总的来说，BC847AW-7-F凭借其出色的电气性能和广泛的适用性，在众多低功耗、小信号处理的应用领域中表现出色，能够满足多种电子电路的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS BIPO NPN 200MW SC70-3两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated BC847AW-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC847AW-7-F |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 110 @ 2mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | BC847AW-7-F-ND |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 110 |
| 系列 | BC847A |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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