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  • 型号: BC847A-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC847A-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847A-7-F价格参考¥0.13-¥0.16。Diodes Inc.BC847A-7-F封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 45V 100mA 300MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载BC847A-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC847A-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BC847A-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的单个双极晶体管(BJT),具体为 NPN 类型。该型号广泛应用于多种电子电路中,尤其适合低功耗和小型化设计。以下是其主要应用场景:

 1. 信号放大
BC847A-7-F 常用于音频、射频(RF)等信号放大的场合。它能够有效地将微弱的输入信号放大到所需的输出电平,适用于便携式音频设备、无线通信模块等。

 2. 开关应用
该晶体管具有较低的饱和电压和较快的开关速度,因此非常适合用作开关元件。它可以用于电源管理电路中的开关控制,如在直流电机驱动、LED 照明控制以及电池充电电路中起到开关作用。

 3. 保护电路
BC847A-7-F 可以用于过流保护、短路保护等安全电路中。通过检测电流的变化,晶体管可以在异常情况下迅速切断电路,防止损坏其他关键组件。

 4. 逻辑电平转换
在不同电压系统的接口处,BC847A-7-F 可以作为电平转换器使用。例如,在3.3V和5V系统之间进行信号传递时,它可以帮助确保信号的正确传输。

 5. 传感器接口
许多传感器输出的信号较为微弱,需要经过放大处理才能被主控芯片识别。BC847A-7-F 可以作为前置放大器,增强传感器输出信号,使其更易于处理。

 6. 脉宽调制(PWM)控制
在 PWM 控制电路中,BC847A-7-F 可以用于调节输出功率或亮度。比如在 LED 调光、风扇速度控制等应用中,它能根据 PWM 信号调整负载的工作状态。

 7. 线性稳压器辅助
在线性稳压器中,BC847A-7-F 可以作为辅助元件,帮助提高稳压精度并减少功耗。它还可以用于温度补偿电路,确保稳压器在不同环境温度下保持稳定性能。

总的来说,BC847A-7-F 晶体管以其小巧的封装、低功耗和高可靠性,成为众多消费电子、工业控制及通信设备中的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS BIPO NPN 300MW 45V SOT23-3两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated BC847A-7-F-

数据手册

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产品型号

BC847A-7-F

PCN设计/规格

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

600mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

110 @ 2mA,5V

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3

其它名称

BC847A-7-FDICT
BC847A-7-FDICT-ND
BC847A-7FDICT

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

300 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

15nA

直流集电极/BaseGainhfeMin

110

系列

BC847A

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

频率-跃迁

300MHz

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