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  • 型号: BC846BS,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BC846BS,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC846BS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC846BS,115价格参考¥0.10-¥0.10。NXP SemiconductorsBC846BS,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载BC846BS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC846BS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BC846BS,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极型晶体管(BJT)阵列。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 信号放大
   - BC846BS,115 可用于音频和射频信号的放大,适用于低噪声、高增益的场景。
   - 在消费电子设备中,如耳机放大器、麦克风前置放大器等,能够提供稳定的信号放大功能。

 2. 开关电路
   - 作为开关元件,BC846BS,115 能够在数字电路中实现快速切换。
   - 应用于继电器驱动、LED 驱动、小型电机控制等场景,确保高效且可靠的开关性能。

 3. 电源管理
   - 在低功耗设备中,该晶体管可用于稳压电路或电流限制电路。
   - 例如,在电池供电设备中,通过调节电流来保护负载或延长电池寿命。

 4. 传感器接口
   - BC846BS,115 可用于放大传感器输出的微弱信号,例如温度传感器、压力传感器等。
   - 提高信号强度以便后续处理,同时保持低噪声特性。

 5. 通信设备
   - 在无线通信模块中,该晶体管可以用于信号调制和解调电路。
   - 适用于短距离通信设备,如红外遥控、蓝牙模块等。

 6. 工业控制
   - 用于工业自动化中的信号调理和驱动电路,例如 PLC(可编程逻辑控制器)中的输入/输出模块。
   - 提供稳定的工作性能以适应复杂的工业环境。

 7. 消费电子产品
   - 广泛应用于家用电器、玩具、电子学习设备等需要简单信号处理和控制的场合。
   - 例如,家电中的定时器、温控器等功能模块。

 总结
BC846BS,115 的主要优势在于其低电压工作能力、高集成度和可靠性,适合多种中小型电子设备的应用需求。由于其为阵列形式,能够在单一封装内实现多路信号处理,从而节省空间并简化设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DUAL NPN 65V 100MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC846BS,115-

数据手册

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产品型号

BC846BS,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

568-6058-2
934063582115
BC846BS,115-ND

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

- 6 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-88

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 NPN(双)

最大功率耗散

200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

- 200 mA

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

65V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

200 at 2 mA at 5 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

290

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

- 65 V

集电极—基极电压VCBO

80 V

集电极连续电流

- 100 mA

频率-跃迁

100MHz

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