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  • 型号: BC846BPN,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BC846BPN,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC846BPN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC846BPN,115价格参考¥0.21-¥0.21。NXP SemiconductorsBC846BPN,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载BC846BPN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC846BPN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BC846BPN,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的双极晶体管 (BJT) 阵列,广泛应用于各种电子设备中。这种器件由多个 BJT 组成,能够在一个封装内提供多种功能,适用于需要高集成度和节省空间的设计。

 应用场景

1. 信号放大:
   BC846BPN,115 可用于音频、射频和其他模拟信号的放大。其低噪声特性和稳定的增益使其非常适合在音频设备(如耳机放大器、音响系统)和通信设备(如无线电接收器、发射器)中使用。

2. 开关电路:
   该器件可以作为开关元件,在数字电路中实现逻辑控制。它能够在高速切换状态下保持低功耗,适合用于电源管理模块、继电器驱动、LED 驱动等应用。

3. 保护电路:
   在电源管理和保护电路中,BC846BPN,115 可以用于过流保护、过压保护和短路保护。其快速响应时间和高可靠性确保了系统的安全性和稳定性。

4. 传感器接口:
   该晶体管阵列可用于传感器信号的调理和放大。例如,在温度传感器、压力传感器等应用中,它可以将微弱的传感器输出信号放大到合适的电平,以便后续处理。

5. 电机控制:
   BC846BPN,115 可用于小型直流电机的驱动和控制。其高电流承载能力和快速开关特性使其适合用于玩具、家用电器和自动化设备中的电机控制电路。

6. 通信设备:
   在无线通信设备中,该器件可以用于信号调制和解调,以及功率放大。其高频特性和低噪声性能使其成为射频前端的理想选择。

7. 消费电子产品:
   该晶体管阵列广泛应用于智能手机、平板电脑、智能手表等便携式设备中,用于电源管理、信号放大和开关控制等功能。

总之,BC846BPN,115 凭借其高集成度、低功耗和优异的电气性能,成为众多电子设备中不可或缺的关键元件。它不仅提高了设计的灵活性,还减少了电路板的空间占用,提升了整体系统的性能和可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN/PNP 65V 100MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT TRANSISTOR 56BS/SOT363/

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC846BPN,115-

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产品型号

BC846BPN,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

568-6057-1

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-88

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

NPN,PNP

最大功率耗散

200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

200 mA

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

65V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

200 at 2 mA at 5 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

270

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

65 V

集电极—基极电压VCBO

80 V

集电极连续电流

100 mA

频率-跃迁

100MHz

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