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BC846BPN,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC846BPN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC846BPN,115价格参考¥0.21-¥0.21。NXP SemiconductorsBC846BPN,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载BC846BPN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC846BPN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC846BPN,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的双极晶体管 (BJT) 阵列,广泛应用于各种电子设备中。这种器件由多个 BJT 组成,能够在一个封装内提供多种功能,适用于需要高集成度和节省空间的设计。 应用场景 1. 信号放大: BC846BPN,115 可用于音频、射频和其他模拟信号的放大。其低噪声特性和稳定的增益使其非常适合在音频设备(如耳机放大器、音响系统)和通信设备(如无线电接收器、发射器)中使用。 2. 开关电路: 该器件可以作为开关元件,在数字电路中实现逻辑控制。它能够在高速切换状态下保持低功耗,适合用于电源管理模块、继电器驱动、LED 驱动等应用。 3. 保护电路: 在电源管理和保护电路中,BC846BPN,115 可以用于过流保护、过压保护和短路保护。其快速响应时间和高可靠性确保了系统的安全性和稳定性。 4. 传感器接口: 该晶体管阵列可用于传感器信号的调理和放大。例如,在温度传感器、压力传感器等应用中,它可以将微弱的传感器输出信号放大到合适的电平,以便后续处理。 5. 电机控制: BC846BPN,115 可用于小型直流电机的驱动和控制。其高电流承载能力和快速开关特性使其适合用于玩具、家用电器和自动化设备中的电机控制电路。 6. 通信设备: 在无线通信设备中,该器件可以用于信号调制和解调,以及功率放大。其高频特性和低噪声性能使其成为射频前端的理想选择。 7. 消费电子产品: 该晶体管阵列广泛应用于智能手机、平板电脑、智能手表等便携式设备中,用于电源管理、信号放大和开关控制等功能。 总之,BC846BPN,115 凭借其高集成度、低功耗和优异的电气性能,成为众多电子设备中不可或缺的关键元件。它不仅提高了设计的灵活性,还减少了电路板的空间占用,提升了整体系统的性能和可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS NPN/PNP 65V 100MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT TRANSISTOR 56BS/SOT363/ |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC846BPN,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BC846BPN,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
其它名称 | 568-6057-1 |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SC-88 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | NPN,PNP |
最大功率耗散 | 200 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 200 mA |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 65V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 270 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 65 V |
集电极—基极电压VCBO | 80 V |
集电极连续电流 | 100 mA |
频率-跃迁 | 100MHz |