【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_BC846ALT3G】封装/厂家_BC846ALT3G中文资料_价格

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型号： BC846ALT3G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BC846ALT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC846ALT3G价格参考。ON SemiconductorBC846ALT3G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 NPN 65V 100mA 100MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3（TO-236）。您可以下载BC846ALT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC846ALT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的BC846ALT3G是一款双极晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。它具有低饱和电压、高电流增益和快速开关特性，适用于多种应用场景，特别是在消费电子、工业控制和通信设备中。

 应用场景：

1. 信号放大：
   BC846ALT3G可以用于音频放大器、传感器信号调理电路等需要小信号放大的场合。其低噪声特性和高增益使得它在处理微弱信号时表现出色，能够有效地提高信号的质量和强度。

2. 开关应用：
   该晶体管适用于各种开关电路，如继电器驱动、LED驱动、电机控制等。由于其快速开关特性和低饱和电压，可以在高效能要求的应用中提供稳定的开关性能，减少能量损耗。

3. 电源管理：
   在电源管理系统中，BC846ALT3G可以用于稳压器、电流源等电路中。它可以帮助调节输出电压或电流，确保系统在不同负载条件下保持稳定的工作状态。

4. 保护电路：
   该晶体管还可以用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测异常电流并迅速切断电源，可以有效保护其他电路元件免受损坏。

5. 通信设备：
   在通信设备中，BC846ALT3G可用于调制解调器、无线发射接收模块等高频电路中。其良好的频率响应和稳定性使其适合处理高速数据传输任务。

6. 消费电子产品：
   如智能手机、平板电脑、智能手表等便携式设备中，BC846ALT3G可用于音频放大、电源管理等功能模块，以实现更紧凑、高效的电路设计。

7. 工业自动化：
   在工业控制系统中，BC846ALT3G可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等电路中，帮助实现精确的信号处理和控制功能。

总之，BC846ALT3G凭借其出色的电气性能和广泛的适用性，在多个领域都有广泛的应用，是设计工程师在开发高性能电子设备时的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS NPN 65V 100MA SOT-23两极晶体管 - BJT 100mA 80V NPN
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC846ALT3G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BC846ALT3G
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	600mV @ 5mA，100mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	110 @ 2mA，5V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值	300mW
包装	带卷（TR）
发射极-基极电压VEBO	6 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	100 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	SOT-23-3
工厂包装数量	10000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	225 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.1 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	10,000
电压-集射极击穿（最大值）	65V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	15nA （ICBO）
直流集电极/BaseGainhfeMin	110
系列	BC846AL
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	65 V
集电极—基极电压VCBO	80 V
集电极—射极饱和电压	0.6 V
集电极连续电流	0.1 A
频率-跃迁	100MHz