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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC817-16W-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC817-16W-7价格参考。Diodes Inc.BC817-16W-7封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 45V 500mA 100MHz 200mW 表面贴装 SOT-323。您可以下载BC817-16W-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC817-16W-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC817-16W-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 NPN 型双极晶体管 (BJT),属于小型信号晶体管,广泛应用于各种低功率模拟和数字电路中。以下是该型号晶体管的一些典型应用场景: 1. 开关应用 BC817-16W-7 经常用于开关电路中,尤其是在需要控制电流或电压的场景下。例如,在 LED 驱动、继电器控制、电机驱动等场合,它可以作为开关元件来控制负载的通断。其低饱和电压(Vce(sat))使得它在开关状态下具有较低的功耗,适合长时间工作。 2. 信号放大 该晶体管也适用于小信号放大电路,如音频放大器、传感器信号调理电路等。由于其增益(hFE)较高,能够在较宽的工作范围内提供稳定的电流放大,确保信号不失真。它还可以用于多级放大电路中的前置放大或中间级放大。 3. 电源管理 在一些简单的电源管理电路中,BC817-16W-7 可以用作线性稳压器中的调整管,帮助调节输出电压。此外,它也可以用于过流保护电路,当检测到异常电流时,通过控制晶体管的导通状态来切断电源,保护电路免受损坏。 4. 通信设备 在通信设备中,BC817-16W-7 可用于调制解调器、收发器等设备中的信号处理部分。它能够处理高频信号,并且在低噪声要求的应用中表现出色,适合用于射频前端电路中的信号耦合与隔离。 5. 消费电子 在许多消费电子产品中,如遥控器、玩具、智能家居设备等,BC817-16W-7 用于控制各种功能模块的工作状态。它的低功耗特性使得它非常适合电池供电的便携式设备,延长了设备的续航时间。 总的来说,BC817-16W-7 晶体管凭借其良好的性能和可靠性,成为许多低功率应用的理想选择,特别是在需要精确控制电流或放大信号的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN BIPOLAR 45V SC70-3两极晶体管 - BJT NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANS |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated BC817-16W-7- |
数据手册 | |
产品型号 | BC817-16W-7 |
PCN其它 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 700mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,1V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-323 |
其它名称 | BC817-16WDITR |
其它图纸 | |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 200 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
系列 | BC817-16 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
集电极—基极电压VCBO | 50 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.7 V |
频率-跃迁 | 100MHz |