【未分类_BC637RL1G】封装/厂家_BC637RL1G中文资料_价格

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型号： BC637RL1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BC637RL1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC637RL1G价格参考。ON SemiconductorBC637RL1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BC637RL1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC637RL1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BC637RL1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 类型。该型号具有低饱和电压、高增益和快速开关速度的特点，适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景：

1. 开关应用：  
   BC637RL1G 常用于数字电路中的开关功能，例如驱动继电器、LED 或小型电机等负载。它的低饱和电压特性可以提高效率并减少功耗。

2. 信号放大：  
   在音频或其他模拟信号处理中，BC637RL1G 可用作小信号放大器，实现对弱电信号的放大。它适合低噪声和高增益要求的应用。

3. 电源管理：  
   该晶体管可用于简单的线性稳压器或电流限制电路中，帮助调节输出电压或保护电路免受过流损坏。

4. 通信设备：  
   在一些通信模块中，BC637RL1G 可作为射频（RF）或中频（IF）信号的前置放大器，支持高效的数据传输。

5. 消费类电子产品：  
   如遥控器、玩具和其他便携式设备中，BC637RL1G 能够提供可靠的性能，同时保持低成本和小体积。

6. 传感器接口：  
   在传感器信号调理电路中，这款晶体管可以帮助将微弱的传感器输出信号放大到后续处理所需的电平。

总之，BC637RL1G 凭借其优异的电气特性和稳定性，广泛应用于需要高性能 NPN 晶体管的各种领域，包括工业控制、家用电器以及汽车电子等。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS NPN BIPO 60V 1A TO-92两极晶体管 - BJT SS T092 HC XSTR NPN 60V
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC637RL1G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BC637RL1G
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	500mV @ 50mA，500mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	40 @ 150mA，2V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-92-3
功率-最大值	625mW
包装	带卷（TR）
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	200 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Reel
封装/外壳	TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
封装/箱体	TO-92
工厂包装数量	2000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	625 mW, 800 mW
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	2,000
电压-集射极击穿（最大值）	60V
电流-集电极(Ic)（最大值）	1A
电流-集电极截止（最大值）	-
直流集电极/BaseGainhfeMin	25
系列	BC637
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	60 V
集电极连续电流	1 A
频率-跃迁	200MHz