ICGOO在线商城 > BC516_D27Z
/BC516_D27Z.jpg)
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： BC516_D27Z
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
BC516_D27Z产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC516_D27Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BC516_D27Z价格参考￥1.34-￥1.42以及Fairchild SemiconductorBC516_D27Z封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BC516_D27Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有BC516_D27Z详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DARL PNP 30V 1A TO-92达林顿晶体管 PNP DAR 30V 1A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,Fairchild Semiconductor BC516_D27Z- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC516_D27Z |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 100µA， 100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30000 @ 20mA，2V |
| 产品种类 | |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | BC516_D27ZCT |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 功率耗散 | 625 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 286 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 Kinked Lead |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.1 uA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30000 |
| 系列 | BC516 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
,TO-226_straightlead.jpg)
- 商务部:美国ITC正式对集成电路等产品启动337调查
- 曝三星4nm工艺存在良率问题 高通将骁龙8 Gen1或转产台积电
- 太阳诱电将投资9.5亿元在常州建新厂生产MLCC 预计2023年完工
- 英特尔发布欧洲新工厂建设计划 深化IDM 2.0 战略
- 台积电先进制程称霸业界 有大客户加持明年业绩稳了
- 达到5530亿美元！SIA预计今年全球半导体销售额将创下新高
- 英特尔拟将自动驾驶子公司Mobileye上市 估值或超500亿美元
- 三星加码芯片和SET，合并消费电子和移动部门，撤换高东真等 CEO
- 三星电子宣布重大人事变动 还合并消费电子和移动部门
- 海关总署：前11个月进口集成电路产品价值2.52万亿元 增长14.8%
