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  • 型号: BC51-16PA,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BC51-16PA,115产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT1061两极晶体管 - BJT General-purpose bipolar transistors

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC51-16PA,115-

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产品型号

BC51-16PA,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

63 @ 150mA,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

3-DFN (2x2)

其它名称

568-10458-6

功率-最大值

420mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

145 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

3-PowerUDFN

封装/箱体

SOT1061

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

1.65 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

- 2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

250

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 45 V

集电极—基极电压VCBO

- 45 V

集电极—射极饱和电压

- 0.5 V

集电极连续电流

- 1 A

频率-跃迁

145MHz

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