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Datasheet下载- 型号： BC337-40ZL1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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BC337-40ZL1G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC337-40ZL1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC337-40ZL1G价格参考。ON SemiconductorBC337-40ZL1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 45V 800mA 210MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载BC337-40ZL1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC337-40ZL1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN GP 45V 800MA TO-92两极晶体管 - BJT 800mA 50V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC337-40ZL1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC337-40ZL1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 700mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 250 @ 100mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | BC337-40ZL1GOSCT |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 210 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 (TO-226) |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.8 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 800mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 250 |
| 系列 | BC337-40 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.7 V |
| 集电极连续电流 | 0.8 A |
| 频率-跃迁 | 210MHz |
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