ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BBS3002-DL-E
Datasheet下载- 型号： BBS3002-DL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BBS3002-DL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BBS3002-DL-E价格参考。ON SemiconductorBBS3002-DL-E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 100A（Ta） 90W（Tc） SMP-FD。您可以下载BBS3002-DL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BBS3002-DL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 100A SMP-FDMOSFET 128KB I2C SER EEPROM |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 100 A |
| Id-连续漏极电流 | - 100 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor BBS3002-DL-E- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BBS3002-DL-E |
| Pd-PowerDissipation | 90 W |
| Pd-功率耗散 | 90 W |
| Qg-GateCharge | 280 nC |
| Qg-栅极电荷 | 280 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| 上升时间 | 1000 ns |
| 下降时间 | 820 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13200pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 280nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.8 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SMP-FD |
| 典型关闭延迟时间 | 800 ns |
| 功率-最大值 | 90W |
| 功率耗散 | 90 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.4 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 280 nC |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 54 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
| 漏极连续电流 | - 100 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Ta） |
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