ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列 > BAV23C,215
Datasheet下载- 型号： BAV23C,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BAV23C,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BAV23C,215价格参考。NXP SemiconductorsBAV23C,215封装/规格：二极管 - 整流器 - 阵列， Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 225mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3。您可以下载BAV23C,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BAV23C,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BAV23C,215 是一款二极管整流器阵列，广泛应用于各种电子设备中。这款器件由多个快速恢复二极管组成，具有低正向电压降和高反向击穿电压的特点，适用于多种应用场景。 1. 电源管理 BAV23C,215 常用于电源管理电路中，特别是在需要高效整流的应用场景下。它能够将交流电转换为直流电，确保稳定的电源输出。其快速恢复特性使得它在高频开关电源中表现优异，减少开关损耗，提高电源效率。 2. 保护电路 该器件可以作为保护元件，防止电路中的瞬态电压或电流尖峰对敏感元件造成损坏。例如，在USB接口、传感器或其他输入/输出端口上，BAV23C,215 可以有效抑制静电放电（ESD）和其他瞬态干扰，保护后续电路免受损害。 3. 信号调理 在信号处理电路中，BAV23C,215 可用于信号整形和隔离。它可以将模拟信号中的负半波钳位到地，确保信号的完整性，同时防止负电压对后续放大器或ADC等元件的影响。 4. 逆变器和电机驱动 在逆变器和电机驱动应用中，BAV23C,215 可以用作续流二极管，帮助吸收感性负载产生的反电动势，防止过压对功率晶体管造成损坏。其快速恢复特性使其非常适合高频开关应用，如无刷直流电机（BLDC）驱动器。 5. 汽车电子 在汽车电子系统中，BAV23C,215 被广泛应用于车载充电器、LED照明、车身控制模块（BCM）等场合。它能够在严苛的汽车环境中提供可靠的整流和保护功能，确保系统的稳定性和安全性。 6. 消费电子产品 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，BAV23C,215 通常用于充电接口、电池管理系统（BMS）等部分，确保充电过程的安全性和稳定性，同时提供必要的保护功能。 总之，BAV23C,215 凭借其优异的性能和可靠性，成为许多电子设备中不可或缺的关键元件，适用于电源管理、保护电路、信号调理等多种应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ARRAY 200V 225MA TO236AB二极管 - 通用，功率，开关 Diode Switching 250V 0.225A 3-Pin |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,二极管 - 通用，功率，开关,NXP Semiconductors BAV23C,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BAV23C,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.25V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 200V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Switching Diodes |
| 产品种类 | 二极管 - 通用，功率，开关 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-7986-2 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 50ns |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 峰值反向电压 | 250 V |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 50 ns |
| 最大二极管电容 | 2 pF |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 625 mA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电压下降 | 1 V |
| 正向连续电流 | 125 mA |
| 热阻 | 360°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 200V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 225mA（DC） |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Dual Common Cathode |
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