ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列 > BAT54SDW-TP
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BAT54SDW-TP由MCC设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BAT54SDW-TP价格参考。MCCBAT54SDW-TP封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 2 Pair Series Connection Schottky 30V 200mA (DC) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363。您可以下载BAT54SDW-TP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BAT54SDW-TP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Micro Commercial Co的BAT54SDW-TP是一款双通道肖特基二极管整流器阵列,广泛应用于各种电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: - 反向电压保护:在电源电路中,BAT54SDW-TP可以防止因电源极性接反而造成的损坏。它能够迅速响应并阻止反向电流通过。 - 续流二极管:在开关电源和DC-DC转换器中,该二极管阵列可以用作续流二极管,确保电感中的电流平滑过渡,减少电磁干扰(EMI)。 2. 信号处理: - 信号整流:在通信设备和传感器系统中,BAT54SDW-TP可用于整流高频信号,将交流信号转换为直流信号,以便进一步处理或测量。 - 逻辑电平转换:该器件还可以用于不同逻辑电平之间的转换,确保信号在不同工作电压下的正确传输。 3. 数据保护: - ESD保护:在敏感的集成电路(IC)周围,BAT54SDW-TP可以提供静电放电(ESD)保护,防止静电对内部电路的损害。 - 瞬态电压抑制:该二极管阵列能够在短时间内吸收高能量脉冲,保护后续电路免受瞬态电压的影响。 4. 汽车电子: - 负载突降保护:在汽车环境中,当电池突然断开时,负载突降现象会导致电压尖峰。BAT54SDW-TP可以帮助吸收这些尖峰电压,保护车载电子设备。 - 线束保护:用于汽车线束中的二极管阵列,可以防止短路和过压情况,确保系统的稳定性和可靠性。 5. 消费电子产品: - USB端口保护:在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,BAT54SDW-TP可以保护USB端口免受过压和反向电流的损害。 - 音频设备:在音频放大器和其他音视频设备中,该二极管阵列可以用于信号整流和保护,确保音频信号的质量和设备的安全运行。 总之,BAT54SDW-TP以其低正向电压降、快速响应时间和高可靠性,成为多种应用场景中的理想选择,特别适用于需要高效整流和保护功能的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT363肖特基二极管与整流器 200mA 30V |
产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
品牌 | Micro Commercial Components (MCC) |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Micro Commercial Components (MCC) BAT54SDW-TP- |
数据手册 | |
产品型号 | BAT54SDW-TP |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 100mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 25V |
二极管类型 | 肖特基 |
二极管配置 | 2 对串联 |
产品 | Schottky Diodes |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24932 |
产品目录页面 | |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
其它名称 | BAT54SDW-TPDKR |
包装 | Digi-Reel® |
反向恢复时间(trr) | 5ns |
商标 | Micro Commercial Components (MCC) |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363 |
峰值反向电压 | 30 V |
工作温度范围 | - 65 C to + 125 C |
工厂包装数量 | 3000 |
恢复时间 | 5 ns |
技术 | Silicon |
最大反向漏泄电流 | 2 uA at 25 V |
最大工作温度 | + 125 C |
最大浪涌电流 | 0.6 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
正向电压下降 | 1 V at 0.1 A |
正向连续电流 | 0.2 A |
热阻 | 625°C/W Ja |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 30V |
电流-平均整流(Io)(每二极管) | 200mA(DC) |
系列 | BAT54S |
速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
配置 | Double Dual Series |