ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列 > BAS40TW-7-F
Datasheet下载- 型号： BAS40TW-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BAS40TW-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BAS40TW-7-F价格参考。Diodes Inc.BAS40TW-7-F封装/规格：二极管 - 整流器 - 阵列， Diode Array 3 Independent Schottky 40V 200mA (DC) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363。您可以下载BAS40TW-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BAS40TW-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的BAS40TW-7-F是一款专为高效整流和保护电路设计的二极管阵列，属于肖特基整流器系列。该型号的应用场景广泛，特别是在需要低正向电压降、快速开关速度以及高可靠性的电路中表现出色。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 BAS40TW-7-F常用于各种电源管理系统中，如AC-DC转换器、DC-DC转换器、线性稳压器等。它能够有效降低功耗，提高电源效率，特别适合便携式设备、消费电子、工业控制等领域。由于其低正向压降特性，能够在高频开关应用中减少热量产生，延长设备寿命。 2. 反向电流保护 在许多电路中，防止反向电流对电路元件造成损坏是非常重要的。BAS40TW-7-F可以作为反向电流保护二极管，确保在电源断开或极性接反时，敏感元件不会受到损害。这种应用场景常见于电池供电设备、太阳能系统、电动汽车充电模块等。 3. ESD保护 静电放电（ESD）是电子设备常见的威胁之一。BAS40TW-7-F具有良好的ESD防护能力，能够有效吸收静电脉冲，保护敏感的IC和其他元器件免受静电损坏。它适用于USB接口、HDMI接口、通信端口等需要高可靠性ESD保护的场合。 4. 信号隔离与耦合 在高速信号传输中，BAS40TW-7-F可以用于信号隔离和耦合，确保信号完整性的同时避免不同地电位之间的干扰。它特别适合用于通信设备、数据传输模块等场景，提供稳定可靠的信号传输路径。 5. 光伏系统 在光伏逆变器和太阳能电池板中，BAS40TW-7-F可以用作旁路二极管，防止部分电池板因阴影遮挡而产生的热斑效应，从而提高整个系统的发电效率和安全性。 6. 汽车电子 汽车电子系统中，BAS40TW-7-F可用于电源稳压、负载突降保护、发电机整流等关键部位。其高温性能和抗振能力使其非常适合汽车环境中的严苛要求。 总之，BAS40TW-7-F凭借其卓越的电气性能和可靠性，在多个领域有着广泛的应用前景，尤其是在对效率、保护和可靠性有较高要求的电路中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT363肖特基二极管与整流器 40V 200mW |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Diodes Incorporated BAS40TW-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BAS40TW-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 40mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200nA @ 30V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 3 个独立式 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Diode - Schottky Triple |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | BAS40TW-FDICT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | 5ns |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 峰值反向电压 | 40 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 5 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 0.2 uA at 30 V |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1 V at 0.04 A |
| 正向连续电流 | 0.2 A |
| 热阻 | 625°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 40V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 200mA（DC） |
| 系列 | BAS40T |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 配置 | Triple Parallel |
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