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  • 型号: BAS40TW-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BAS40TW-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BAS40TW-7-F价格参考。Diodes Inc.BAS40TW-7-F封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 3 Independent Schottky 40V 200mA (DC) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363。您可以下载BAS40TW-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BAS40TW-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

### BAS40TW-7-F的应用场景

BAS40TW-7-F是一种超快恢复二极管,具有低反向恢复时间、低正向电压降和高浪涌电流能力等特点。这些特性使得它在多种电子电路中有着广泛的应用。

#### 电源管理与转换
在电源管理系统中,BAS40TW-7-F可以用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器以及AC-DC适配器等。其快速的反向恢复时间有助于减少开关损耗,提高电源效率。此外,它还可以用于续流二极管,保护电路免受电感性负载引起的瞬态电压冲击。

#### 过压保护
BAS40TW-7-F的高浪涌电流能力使其非常适合用于过压保护电路。它可以迅速响应并导通瞬态高压,从而保护敏感的电子元件不受损坏。这种应用常见于通信设备、工业控制系统和汽车电子等领域。

#### 电机驱动
在电机驱动电路中,BAS40TW-7-F可以作为自由轮二极管使用。当电机绕组中的电流突然中断时,会产生反电动势,这可能会对其他电路元件造成损害。BAS40TW-7-F能够快速响应并吸收这部分能量,确保电路的安全运行。

#### 开关电源同步整流
在同步整流电路中,BAS40TW-7-F可以替代传统的肖特基二极管,提供更低的正向电压降和更快的反向恢复时间。这不仅提高了电源转换效率,还减少了发热问题,延长了产品的使用寿命。

#### 逆变器与变频器
BAS40TW-7-F在逆变器和变频器中也有重要应用。它可以帮助实现高效的功率转换,并且在高频工作条件下保持稳定性能。这对于需要精确控制速度和转矩的工业电机驱动系统尤为重要。

总之,BAS40TW-7-F凭借其出色的电气特性,在电源管理、过压保护、电机驱动、同步整流及逆变器等多个领域展现了卓越的应用价值。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT363肖特基二极管与整流器 40V 200mW

产品分类

二极管,整流器 - 阵列分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Diodes Incorporated BAS40TW-7-F-

数据手册

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产品型号

BAS40TW-7-F

PCN设计/规格

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同If时的电压-正向(Vf)

1V @ 40mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

200nA @ 30V

二极管类型

肖特基

二极管配置

3 个独立式

产品

Schottky Diodes

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

Diode - Schottky Triple

供应商器件封装

SOT-363

其它名称

BAS40TW-FDICT

包装

剪切带 (CT)

反向恢复时间(trr)

5ns

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363

峰值反向电压

40 V

工作温度范围

- 55 C to + 125 C

工厂包装数量

3000

恢复时间

5 ns

技术

Silicon

最大功率耗散

200 mW

最大反向漏泄电流

0.2 uA at 30 V

最大工作温度

+ 125 C

最大浪涌电流

0.6 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向电压下降

1 V at 0.04 A

正向连续电流

0.2 A

热阻

625°C/W Ja

电压-DC反向(Vr)(最大值)

40V

电流-平均整流(Io)(每二极管)

200mA(DC)

系列

BAS40T

速度

小信号 =< 200mA(Io),任意速度

配置

Triple Parallel

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