ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列 > BAS40-05T-7-F
Datasheet下载- 型号： BAS40-05T-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BAS40-05T-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BAS40-05T-7-F价格参考。Diodes Inc.BAS40-05T-7-F封装/规格：二极管 - 整流器 - 阵列， Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40V 200mA (DC) Surface Mount SOT-523。您可以下载BAS40-05T-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BAS40-05T-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的BAS40-05T-7-F是一款二极管整流器阵列，具有多个独立的整流二极管集成在一个封装中。它适用于需要高效、紧凑且可靠的整流解决方案的应用场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 BAS40-05T-7-F常用于电源管理电路中，特别是在需要将交流电转换为直流电的场合。其低正向电压降和快速恢复特性使其非常适合用于开关电源、线性电源和其他电源转换设备中的整流功能。它可以有效减少功率损耗，提高电源效率。 2. 逆变器与电机驱动 在逆变器和电机驱动应用中，BAS40-05T-7-F可以用于保护电路免受反向电流的影响。它的快速恢复时间有助于减少开关损耗，尤其是在高频开关应用中。此外，该器件还可以用于防止电机产生的反电动势对电路造成损害。 3. 电池充电与保护 该二极管阵列可用于电池充电电路中，确保电流只能单向流动，防止电池在充电过程中发生过充或反向放电。它还可以用于电池管理系统（BMS）中，提供必要的隔离和保护功能。 4. 信号调理与保护 在信号调理电路中，BAS40-05T-7-F可以用于防止输入信号的瞬态过压或反向电压损坏敏感的模拟或数字电路。它能够快速响应并钳位异常电压，保护后端电路免受损坏。 5. 消费电子与家电 在消费电子产品和家用电器中，如电视机、音响设备、洗衣机等，BAS40-05T-7-F可用于整流、保护和电源管理功能。它的小型化封装使其适合用于空间有限的设计中，同时保持高性能和可靠性。 6. 工业自动化 在工业自动化系统中，该二极管阵列可用于各种控制和保护电路，如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口和通信模块。其高可靠性和长寿命使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作。 总结 BAS40-05T-7-F凭借其低正向电压、快速恢复时间和紧凑的封装设计，广泛应用于电源管理、逆变器、电机驱动、电池保护、信号调理以及消费电子和工业自动化等领域。它不仅提高了系统的效率和可靠性，还简化了电路设计，减少了元件数量。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT523肖特基二极管与整流器 40V 150mW |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Diodes Incorporated BAS40-05T-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BAS40-05T-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 40mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200nA @ 30V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Diode - Schottky Dual |
| 供应商器件封装 | SOT-523 |
| 其它名称 | BAS40-05T-FDIDKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | 5ns |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
| 封装/箱体 | SOT-523-3 |
| 峰值反向电压 | 40 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 5 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大二极管电容 | 5 pF |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 0.2 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1 V |
| 正向连续电流 | 0.2 A |
| 热阻 | 833°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 40V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 200mA（DC） |
| 系列 | BAS40-05 |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 配置 | Dual Common Cathode |
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