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  • 型号: BAS35,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BAS35,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BAS35,215价格参考¥0.28-¥0.28。NXP SemiconductorsBAS35,215封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 1 Pair Common Anode Avalanche 90V 250mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3。您可以下载BAS35,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BAS35,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE AVAL 90V 250MA TO236AB二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE-7

产品分类

二极管,整流器 - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,二极管 - 通用,功率,开关,NXP Semiconductors BAS35,215-

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产品型号

BAS35,215

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

1V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

100nA @ 90V

二极管类型

雪崩

二极管配置

1 对共阳极

产品

General Purpose Diodes

产品种类

二极管 - 通用,功率,开关

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-6919-2
933723200215
BAS35 T/R
BAS35 T/R-ND
BAS35,215-ND

包装

带卷 (TR)

反向恢复时间(trr)

50ns

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

峰值反向电压

110 V

工作温度范围

+ 150 C

工厂包装数量

3000

恢复时间

50 ns

最大反向漏泄电流

0.1 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大浪涌电流

10 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

正向电压下降

1.25 V

正向连续电流

0.25 A

热阻

360°C/W Jl

电压-DC反向(Vr)(最大值)

90V

电流-平均整流(Io)(每二极管)

250mA(DC)

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

配置

Dual Common Anode

零件号别名

BAS35 T/R

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