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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BAS21SLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BAS21SLT1G价格参考。ON SemiconductorBAS21SLT1G封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 250V 225mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3。您可以下载BAS21SLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BAS21SLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BAS21SLT1G是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的二极管整流器阵列。该器件属于低电压、高效率的肖特基整流器阵列,具有多个独立的整流单元,适用于多种电源管理和信号处理应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 BAS21SLT1G常用于低压电源管理系统中,尤其是在需要高效转换和低功耗的应用中。它能够有效地将交流电转换为直流电,广泛应用于便携式设备、消费电子、通信设备等领域的电源适配器、充电电路和电源模块中。 2. 反向电流保护 在许多电路设计中,防止电流反向流动是非常重要的,特别是在电池供电的设备中。BAS21SLT1G的肖特基特性使其非常适合用作反向电流保护二极管,确保在电源断开或极性接反时,不会对下游电路造成损坏。 3. 同步整流 该器件可以用于同步整流电路中,替代传统的二极管进行更高效的整流操作。同步整流技术通过使用MOSFET或其他开关器件来降低导通损耗,提高电源转换效率,尤其适合于DC-DC转换器等应用。 4. 信号检测与保护 BAS21SLT1G还可以用于信号检测和保护电路中,例如在数据传输线路上防止静电放电(ESD)和其他瞬态电压冲击。它的低正向压降和快速响应时间使得它能够在这些场景下提供可靠的保护功能。 5. 多路输出电源 由于该器件内部集成了多个整流单元,因此它可以用于多路输出电源的设计中。每个整流单元可以独立工作,处理不同的电压或电流需求,从而简化了复杂电源系统的电路设计。 6. 汽车电子 在汽车电子领域,BAS21SLT1G可用于车载充电系统、电池管理系统(BMS)、LED驱动电路等。其耐高温、抗干扰能力强的特点使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。 总的来说,BAS21SLT1G凭借其低正向压降、高效率、快速响应等优点,广泛应用于各种电源管理和信号处理领域,特别是在需要高效整流和保护的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ARRAY 250V 225MA SOT23二极管 - 通用,功率,开关 250V 200mA |
产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,二极管 - 通用,功率,开关,ON Semiconductor BAS21SLT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | BAS21SLT1G |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.25V @ 200mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 200V |
二极管类型 | 标准 |
二极管配置 | 1 对串联 |
产品 | Switching Diodes |
产品目录页面 | |
产品种类 | 二极管 - 通用,功率,开关 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | BAS21SLT1GOSDKR |
包装 | Digi-Reel® |
反向恢复时间(trr) | 50ns |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
峰值反向电压 | 250 V |
工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
工厂包装数量 | 3000 |
恢复时间 | 50 ns |
最大反向漏泄电流 | 1 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大浪涌电流 | 0.625 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向电压下降 | 1.25 V |
正向连续电流 | 0.225 A |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 250V |
电流-平均整流(Io)(每二极管) | 225mA(DC) |
系列 | BAS21SL |
速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
配置 | Dual Series |