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  • 型号: AUIRFU8403
  • 制造商: International Rectifier
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AUIRFU8403产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供AUIRFU8403由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供AUIRFU8403价格参考以及International RectifierAUIRFU8403封装/规格参数等产品信息。 你可以下载AUIRFU8403参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有AUIRFU8403详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 40V 100A IPAKMOSFET Auto 40V N-Ch FET 2.4mOhm 100A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier AUIRFU8403HEXFET®

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产品型号

AUIRFU8403

Pd-PowerDissipation

99 W

Pd-功率耗散

99 W

Qg-GateCharge

66 nC

Qg-栅极电荷

66 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.1 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3.1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.2 V to 3.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.2 V to 3.9 V

上升时间

32 ns

下降时间

23 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.9V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3171pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

99nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.1 毫欧 @ 76A, 10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

其它名称

IRAUIRFU8403

典型关闭延迟时间

31 ns

功率-最大值

99W

包装

管件

商标

International Rectifier

商标名

CoolIRFet

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

3.1 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

正向跨导-最小值

283 S

汲极/源极击穿电压

40 V

漏极连续电流

100 A

漏源极电压(Vdss)

40V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/40-v-automotivequalified-coolirfet-mosfet/51372

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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