【AUIRFU8401/规格参数】厂家_AUIRFU8401中文资料_价格

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型号： AUIRFU8401
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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AUIRFU8401产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供AUIRFU8401由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供AUIRFU8401价格参考￥13.07-￥13.07以及International RectifierAUIRFU8401封装/规格参数等产品信息。你可以下载AUIRFU8401参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AUIRFU8401详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 40V 100A IPAKMOSFET Auto 40V N-Ch FET 3.2mOhm 100A
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	100 A
Id-连续漏极电流	100 A
品牌	International Rectifier
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier AUIRFU8401HEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	AUIRFU8401
Pd-PowerDissipation	79 W
Pd-功率耗散	79 W
Qg-GateCharge	42 nC
Qg-栅极电荷	42 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	4.25 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	4.25 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	40 V
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.2 V to 3.9 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.2 V to 3.9 V
上升时间	34 ns
下降时间	24 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.9V @ 500µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	63nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	4.25 毫欧 @ 60A， 10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	I-Pak
其它名称	IRAUIRFU8401
典型关闭延迟时间	25 ns
功率-最大值	79W
包装	管件
商标	International Rectifier
商标名	CoolIRFet
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	4.25 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
封装/箱体	IPAK-3
工厂包装数量	75
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	75
正向跨导-最小值	198 S
汲极/源极击穿电压	40 V
漏极连续电流	100 A
漏源极电压(Vdss)	40V
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/40-v-automotivequalified-coolirfet-mosfet/51372
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	100A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single