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  • 型号: AUIRFB8405
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供AUIRFB8405由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AUIRFB8405价格参考。International RectifierAUIRFB8405封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载AUIRFB8405参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有AUIRFB8405 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 40V 120A TO220ABMOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 120A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

120 A

Id-连续漏极电流

120 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier AUIRFB8405HEXFET®

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产品型号

AUIRFB8405

Pd-PowerDissipation

163 W

Pd-功率耗散

163 W

Qg-GateCharge

107 nC

Qg-栅极电荷

107 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.2 V to 3.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.2 V to 3.9 V

上升时间

128 ns

下降时间

77 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.9V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5193pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

161nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.5 毫欧 @ 100A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

IRAUIRFB8405

典型关闭延迟时间

55 ns

功率-最大值

163W

包装

管件

商标

International Rectifier

商标名

CoolIRFet

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

2.5 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

100 S

汲极/源极击穿电压

40 V

漏极连续电流

120 A

漏源极电压(Vdss)

40V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/40-v-automotivequalified-coolirfet-mosfet/51372

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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