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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ATP212-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATP212-TL-H价格参考。ON SemiconductorATP212-TL-H封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 35A(Ta) 40W(Tc) ATPAK。您可以下载ATP212-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATP212-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 35A ATPAKMOSFET SWITCHING DEVICE |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 35 A |
Id-连续漏极电流 | 35 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor ATP212-TL-H- |
数据手册 | |
产品型号 | ATP212-TL-H |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 40 W |
Pd-功率耗散 | 40 W |
Qg-GateCharge | 34.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 34.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 110 ns |
下降时间 | 87 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1820pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 23 毫欧 @ 18A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | ATPAK |
其它名称 | 869-1084-1 |
典型关闭延迟时间 | 125 ns |
功率-最大值 | 40W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | ATPAK(2 引线 + 接片) |
封装/箱体 | ATPAK-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 35 S |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 35A (Ta) |
系列 | ATP212 |
配置 | Single |