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  • 型号: ATP212-TL-H
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ATP212-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATP212-TL-H价格参考。ON SemiconductorATP212-TL-H封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 35A(Ta) 40W(Tc) ATPAK。您可以下载ATP212-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATP212-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 60V 35A ATPAKMOSFET SWITCHING DEVICE

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

35 A

Id-连续漏极电流

35 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor ATP212-TL-H-

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产品型号

ATP212-TL-H

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

40 W

Pd-功率耗散

40 W

Qg-GateCharge

34.5 nC

Qg-栅极电荷

34.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

23 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

23 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

110 ns

下降时间

87 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1820pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

34.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

23 毫欧 @ 18A,10V

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产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

ATPAK

其它名称

869-1084-1

典型关闭延迟时间

125 ns

功率-最大值

40W

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

ATPAK(2 引线 + 接片)

封装/箱体

ATPAK-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

35 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

35A (Ta)

系列

ATP212

配置

Single

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