ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 > ATF-541M4-BLK
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-541M4-BLK由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-541M4-BLK价格参考。Avago TechnologiesATF-541M4-BLK封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet E-pHEMT 3V 60mA 2GHz 17.5dB 21.4dBm MiniPak 1412。您可以下载ATF-541M4-BLK参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATF-541M4-BLK 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM射频JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 120 mA |
Id-连续漏极电流 | 120 mA |
品牌 | Avago Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-541M4-BLK- |
数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV01-0621EN |
P1dB | 21.4 dBm |
产品型号 | ATF-541M4-BLK |
PCN设计/规格 | http://www.avagotech.com/docs/V13-004-480035-0A |
Pd-PowerDissipation | 360 mW |
Pd-功率耗散 | 360 mW |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 5 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 5 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 5 V to 1 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 5 V to 1 V |
产品 | RF JFET |
产品种类 | 射频JFET晶体管 |
供应商器件封装 | MiniPak 1412 |
其它名称 | 516-2194 |
功率-输出 | 21.4dBm |
功率耗散 | 360 mW |
包装 | 散装 |
商标 | Avago Technologies |
噪声系数 | 0.5 dB |
增益 | 17.5 dB |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | 0505(1412 公制) |
封装/箱体 | Mini PAK |
工厂包装数量 | 100 |
应用说明 | http://www.avagotech.com/docs/5988-9004EN |
技术 | GaAs |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | EpHEMT |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 100 |
正向跨导-最小值 | 398 mmho |
漏极连续电流 | 120 mA |
漏源电压VDS | 5 V |
电压-测试 | 3V |
电压-额定 | 5V |
电流-测试 | 60mA |
类型 | GaAs EpHEMT |
配置 | Single Dual Source |
闸/源击穿电压 | - 5 V to 1 V |
频率 | 2 GHz |
额定电流 | 120mA |