【晶体管 - FET，MOSFET - 射频_ATF-54143-TR1G】封装/厂家_ATF-54143-TR1G中文资料_价格

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型号： ATF-54143-TR1G
制造商： Avago Technologies
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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ATF-54143-TR1G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-54143-TR1G由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-54143-TR1G价格参考￥14.00-￥17.50。Avago TechnologiesATF-54143-TR1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet pHEMT FET 3V 60mA 2GHz 16.6dB 20.4dBm SOT-343。您可以下载ATF-54143-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-54143-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC TRANS E-PHEMT 2GHZ SOT-343射频JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage
产品分类	RF FET分离式半导体
Id-ContinuousDrainCurrent	120 mA
Id-连续漏极电流	120 mA
品牌	Avago Technologies US Inc.
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-54143-TR1G-
数据手册	http://www.avagotech.com/docs/AV02-0488EN
P1dB	20.4 dBm
产品型号	ATF-54143-TR1G
PCN组件/产地	http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B
Pd-PowerDissipation	725 mW
Pd-功率耗散	725 mW
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	5 V
Vds-漏源极击穿电压	5 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	- 5 V to 1 V
Vgs-栅源极击穿电压	- 5 V to 1 V
产品	RF JFET
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	射频JFET晶体管
供应商器件封装	SOT-343
其它名称	516-1572-1
功率-输出	20.4dBm
功率耗散	725 mW
包装	剪切带（CT）
商标	Avago Technologies
噪声系数	0.5dB
增益	16.6dB
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SC-82A，SOT-343
封装/箱体	SOT-343
工厂包装数量	3000
技术	GaAs
晶体管极性	N-Channel
晶体管类型	pHEMT FET
最大工作温度	+ 150 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	410 mmho
漏极连续电流	120 mA
漏源电压VDS	5 V
电压-测试	3V
电压-额定	5V
电流-测试	60mA
类型	GaAs EpHEMT
配置	Single Dual Source
闸/源击穿电压	- 5 V to 1 V
频率	2GHz
额定电流	120mA