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ATF-511P8-BLK产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-511P8-BLK由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-511P8-BLK价格参考。Avago TechnologiesATF-511P8-BLK封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet E-pHEMT 4.5V 200mA 2GHz 14.8dB 30dBm 8-LPCC(2x2)。您可以下载ATF-511P8-BLK参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATF-511P8-BLK 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | IC PHEMT 2GHZ 4.5V 200MA 8-LPCC射频JFET晶体管 Transistor GaAs High Linearity |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-连续漏极电流 | 1 A |
品牌 | Avago Technologies US Inc. |
产品手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-3620EN |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-511P8-BLK- |
数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-3620EN |
P1dB | 30 dBm |
产品型号 | ATF-511P8-BLK |
Pd-功率耗散 | 3 W |
Vds-漏源极击穿电压 | 7 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 5 V to 1 V |
产品 | RF JFET |
产品种类 | Transistor |
供应商器件封装 | 8-LPCC(2x2) |
其它名称 | 516-2691 |
功率-输出 | 30dBm |
功率耗散 | 3 W |
包装 | 散装 |
商标 | Avago Technologies |
噪声系数 | 1.4dB |
增益 | 14.8dB |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | 8-LPCC |
封装/箱体 | LPCC-8 |
工厂包装数量 | 100 |
技术 | GaAs |
晶体管类型 | pHEMT FET |
最大工作温度 | + 150 C |
最大漏极/栅极电压 | - 5 V to + 1 V |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 100 |
正向跨导-最小值 | 2178 mmho |
漏极连续电流 | 1 A |
漏源电压VDS | 7 V |
电压-测试 | 4.5V |
电压-额定 | 7V |
电流-测试 | 200mA |
类型 | GaAs EpHEMT |
配置 | Single Dual Source |
闸/源击穿电压 | - 5 V to 1 V |
频率 | 2GHz |
额定电流 | 1A |