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型号： ATF-501P8-BLK
制造商： Avago Technologies
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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ATF-501P8-BLK产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-501P8-BLK由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-501P8-BLK价格参考￥5.05-￥5.05。Avago TechnologiesATF-501P8-BLK封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet E-pHEMT 4.5V 280mA 2GHz 15dB 29dBm 8-LPCC（2x2）。您可以下载ATF-501P8-BLK参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-501P8-BLK 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC TRANS E-PHEMT LOW NOISE LPCC射频JFET晶体管 Transistor GaAs High Linearity
产品分类	RF FET分离式半导体
Id-ContinuousDrainCurrent	1 A
Id-连续漏极电流	1 A
品牌	Avago Technologies
产品手册	http://www.avagotech.com/pages/en/rf_microwave/transistors/fet/atf-501p8/
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-501P8-BLK-
数据手册	http://www.avagotech.com/docs/AV02-1846EN
P1dB	29 dBm
产品型号	ATF-501P8-BLK
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	3.5 W
Pd-功率耗散	3.5 W
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	7 V
Vds-漏源极击穿电压	7 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	- 5 V to 0.8 V
Vgs-栅源极击穿电压	- 5 V to 0.8 V
产品	RF JFET
产品种类	射频JFET晶体管
供应商器件封装	8-LPCC（2x2）
其它名称	516-2690 ATF-501P8-BLK-ND ATF501P8BLK Q2348592B
功率-输出	29dBm
功率耗散	3.5 W
包装	散装
商标	Avago Technologies
噪声系数	1 dB
增益	15 dB
安装风格	SMD/SMT
封装	Bulk
封装/外壳	8-LPCC
封装/箱体	LPCC-8
工厂包装数量	100
技术	GaAs
晶体管类型	EpHEMT
最大工作温度	+ 150 C
最大漏极/栅极电压	- 5 V to + 1 V
最小工作温度	- 65 C
标准包装	100
正向跨导-最小值	1872 mmho
漏极连续电流	1 A
漏源电压VDS	7 V
电压-测试	4.5V
电压-额定	7V
电流-测试	280mA
类型	GaAs EpHEMT
配置	Single Dual Source
闸/源击穿电压	- 5 V to 0.8 V
频率	2 GHz
额定电流	1A