ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 > ATF-38143-BLKG
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
ATF-38143-BLKG产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-38143-BLKG由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-38143-BLKG价格参考。Avago TechnologiesATF-38143-BLKG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 2GHz 16dB 12dBm SOT-343。您可以下载ATF-38143-BLKG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATF-38143-BLKG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | IC PHEMT 1.9GHZ 4.5V 10MA SOT343射频JFET晶体管 Transistor GaAs Low Noise |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 145 mA |
Id-连续漏极电流 | 145 mA |
品牌 | Avago Technologies US Inc. |
产品手册 | http://www.avagotech.com/pages/en/rf_microwave/transistors/fet/atf-38143/ |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-38143-BLKG- |
数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1443EN |
P1dB | 12 dBm |
产品型号 | ATF-38143-BLKG |
PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
Pd-PowerDissipation | 580 mW |
Pd-功率耗散 | 580 mW |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 4.5 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 4.5 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 4 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 4 V |
产品 | RF JFET |
产品种类 | 射频JFET晶体管 |
供应商器件封装 | SOT-343 |
其它名称 | 516-1866 |
功率-输出 | 12dBm |
功率耗散 | 580 mW |
包装 | 散装 |
商标 | Avago Technologies |
噪声系数 | 0.4dB |
增益 | 16dB |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | SC-82A,SOT-343 |
封装/箱体 | SOT-343 |
工厂包装数量 | 100 |
技术 | GaAs |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | pHEMT FET |
最大工作温度 | + 160 C |
标准包装 | 100 |
正向跨导-最小值 | 230 mmho |
漏极连续电流 | 145 mA |
漏源电压VDS | 4.5 V |
电压-测试 | 2V |
电压-额定 | 4.5V |
电流-测试 | 10mA |
类型 | GaAs pHEMT |
配置 | Single Dual Source |
闸/源击穿电压 | - 4 V |
频率 | 2GHz |
额定电流 | 145mA |