Datasheet下载- 型号： ATF-36163-TR1G
- 制造商： Avago Technologies
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-36163-TR1G由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-36163-TR1G价格参考。Avago TechnologiesATF-36163-TR1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ATF-36163-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-36163-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC PHEMT 1.5-18GHZ LN SOT-363射频JFET晶体管 Transistor GaAs High Frequency |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 mA |
| Id-连续漏极电流 | 40 mA |
| 品牌 | Avago Technologies |
| 产品手册 | http://www.avagotech.com/pages/en/rf_microwave/transistors/fet/atf-36163/ |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-36163-TR1G- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1441EN |
| P1dB | 5 dBm |
| 产品型号 | ATF-36163-TR1G |
| PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
| Pd-PowerDissipation | 180 mW |
| Pd-功率耗散 | 180 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 3 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 3 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 3 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 3 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 功率-输出 | 5dBm |
| 功率耗散 | 180 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数 | 12 dB |
| 增益 | 10 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | GaAs |
| 晶体管类型 | pHEMT |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 60 mS |
| 漏极连续电流 | 40 mA |
| 漏源电压VDS | 3 V |
| 电压-测试 | 2V |
| 电压-额定 | 3V |
| 电流-测试 | 15mA |
| 类型 | GaAs pHEMT |
| 配置 | Single Quad Source |
| 闸/源击穿电压 | - 3 V |
| 频率 | 12 GHz |
| 额定电流 | 40mA |
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