ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > AT-42000-GP4
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供AT-42000-GP4由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AT-42000-GP4价格参考。Avago TechnologiesAT-42000-GP4封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 12V 80mA 9GHz 600mW Surface Mount Chip。您可以下载AT-42000-GP4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有AT-42000-GP4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN BIPOLAR CHIP射频双极晶体管 Transistor Si |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | Avago Technologies |
产品手册 | http://www.avagotech.com/pages/en/rf_ics_discretes/transistors/silicon_bipolar/at-42000-gp4/ |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Avago Technologies AT-42000-GP4- |
数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1002EN |
产品型号 | AT-42000-GP4 |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 35mA,8V |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | - |
其它名称 | 516-2368 |
功率-最大值 | 600mW |
功率耗散 | 600 mW |
包装 | 托盘 |
发射极-基极电压VEBO | 1.5 V |
商标 | Avago Technologies |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz |
增益 | 10.5dB ~ 14dB |
安装类型 | 表面贴装 |
封装 | Tray |
封装/外壳 | 12mm x 12mm x 6mm |
封装/箱体 | Chip |
工厂包装数量 | 100 |
技术 | Silicon |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | Bipolar |
最大工作温度 | + 150 C |
最大工作频率 | 9000 MHz |
最大直流电集电极电流 | 0.08 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 100 |
电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 80mA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 at 35 mA at 8 V |
类型 | RF Bipolar Small Signal |
集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
集电极连续电流 | 80 mA |
频率 | 9000 MHz |
频率-跃迁 | 9GHz |