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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供AT-42000-GP4由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AT-42000-GP4价格参考。Avago TechnologiesAT-42000-GP4封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 12V 80mA 9GHz 600mW Surface Mount Chip。您可以下载AT-42000-GP4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有AT-42000-GP4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Broadcom Limited的AT-42000-GP4是一款双极射频晶体管(BJT),广泛应用于射频放大和信号处理领域。该型号的晶体管因其高频性能和高功率处理能力,适用于多种射频通信系统和设备中。 应用场景: 1. 无线通信设备: AT-42000-GP4在无线通信设备中发挥重要作用,特别是在基站、中继器和移动终端中。它能够有效地放大射频信号,确保信号传输的稳定性和可靠性。例如,在4G/5G基站中,该晶体管可以用于功率放大器,提升信号覆盖范围和质量。 2. 射频前端模块: 在射频前端模块(RFFEM)中,AT-42000-GP4可用于低噪声放大器(LNA)和功率放大器(PA)。低噪声放大器负责接收微弱的射频信号并进行初步放大,而功率放大器则用于将发射信号放大到足够的功率水平,以确保信号能够有效传输到远距离的目标。 3. 雷达系统: 该晶体管还适用于各种雷达系统,如气象雷达、航空雷达和军事雷达。其高频特性和高增益特性使其能够在复杂的电磁环境中保持稳定的性能,确保雷达系统的探测精度和可靠性。 4. 卫星通信: 在卫星通信系统中,AT-42000-GP4可用于地面站和卫星之间的信号放大和处理。由于卫星通信需要处理长距离传输中的信号衰减问题,该晶体管的高增益和低噪声特性能够显著提高通信链路的质量和稳定性。 5. 测试与测量设备: 射频测试与测量设备如频谱分析仪、信号发生器等也需要高性能的射频晶体管。AT-42000-GP4可以用于这些设备中的放大电路,确保测试结果的准确性和可靠性。 6. 物联网(IoT)设备: 随着物联网技术的发展,越来越多的智能设备需要高效的射频通信能力。AT-42000-GP4可以在这些设备中用于射频信号的放大和处理,支持低功耗和高效率的通信需求。 总之,AT-42000-GP4凭借其卓越的射频性能,广泛应用于各种通信、雷达、卫星和测试设备中,为现代电子系统提供了可靠的射频解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN BIPOLAR CHIP射频双极晶体管 Transistor Si |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | Avago Technologies |
产品手册 | http://www.avagotech.com/pages/en/rf_ics_discretes/transistors/silicon_bipolar/at-42000-gp4/ |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Avago Technologies AT-42000-GP4- |
数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1002EN |
产品型号 | AT-42000-GP4 |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 35mA,8V |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | - |
其它名称 | 516-2368 |
功率-最大值 | 600mW |
功率耗散 | 600 mW |
包装 | 托盘 |
发射极-基极电压VEBO | 1.5 V |
商标 | Avago Technologies |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz |
增益 | 10.5dB ~ 14dB |
安装类型 | 表面贴装 |
封装 | Tray |
封装/外壳 | 12mm x 12mm x 6mm |
封装/箱体 | Chip |
工厂包装数量 | 100 |
技术 | Silicon |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | Bipolar |
最大工作温度 | + 150 C |
最大工作频率 | 9000 MHz |
最大直流电集电极电流 | 0.08 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 100 |
电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 80mA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 at 35 mA at 8 V |
类型 | RF Bipolar Small Signal |
集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
集电极连续电流 | 80 mA |
频率 | 9000 MHz |
频率-跃迁 | 9GHz |