ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > AT-41533-TR1G
Datasheet下载- 型号： AT-41533-TR1G
- 制造商： Avago Technologies
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AT-41533-TR1G由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AT-41533-TR1G价格参考。Avago TechnologiesAT-41533-TR1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 12V 50mA 225mW Surface Mount SOT-23。您可以下载AT-41533-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AT-41533-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Broadcom Limited的AT-41533-TR1G是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 射频（RF）器件，主要用于射频放大、开关和混频等应用场景。具体来说，这款晶体管具有以下主要应用场景： 1. 射频放大器：AT-41533-TR1G在射频通信系统中广泛用于放大信号。它可以在无线通信设备、基站、卫星通信系统以及雷达系统中作为低噪声放大器（LNA）或功率放大器（PA）。其高增益和低噪声特性使其非常适合需要高灵敏度和高效率的应用。 2. 射频开关：该晶体管还可以用作射频开关，实现信号路径的选择和切换。例如，在多频段通信设备中，可以通过控制AT-41533-TR1G的状态来选择不同的频率通道，从而提高系统的灵活性和可靠性。 3. 混频器：在接收机和发射机中，AT-41533-TR1G可以用于混频器电路，将射频信号转换为中频信号或将中频信号转换为射频信号。这在调制解调器、收发器等设备中非常重要，能够实现信号的上变频和下变频。 4. 无线模块和物联网设备：随着物联网（IoT）的发展，越来越多的无线模块和智能设备需要高性能的射频组件。AT-41533-TR1G由于其优异的射频性能，被广泛应用于Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等无线通信模块中，确保信号的稳定传输和高效处理。 5. 测试与测量设备：在射频测试仪器如频谱分析仪、信号发生器等设备中，AT-41533-TR1G也发挥着重要作用。它可以提供稳定的射频信号源或放大待测信号，帮助工程师进行精确的测试和调试。 总之，AT-41533-TR1G凭借其出色的射频性能和可靠性，适用于多种射频应用领域，特别是在通信、雷达、物联网及测试测量设备中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-23射频双极晶体管 Transistor Si |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | Avago Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Avago Technologies AT-41533-TR1G- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-0798EN |
| 产品型号 | AT-41533-TR1G |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | 516-1570-6 |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 225 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 1.5 V |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz |
| 增益 | 9dB ~ 14.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 10000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 集电极连续电流 | 50 mA |
| 频率 | 10000 MHz |
| 频率-跃迁 | - |
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