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AT-32063-TR1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供AT-32063-TR1G由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供AT-32063-TR1G价格参考以及Avago TechnologiesAT-32063-TR1G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载AT-32063-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有AT-32063-TR1G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | IC TRANS NPN BIPOLAR SOT363射频双极晶体管 Transistor Si Low Current |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | Avago Technologies |
产品手册 | http://www.avagotech.com/pages/en/rf_microwave/transistors/silicon_bipolar/at-32063/ |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Avago Technologies AT-32063-TR1G- |
数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1456EN |
产品型号 | AT-32063-TR1G |
PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 50 @ 5mA,2.7V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
其它名称 | 516-1567-2 |
功率-最大值 | 150mW |
功率耗散 | 150 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 1.5 V |
商标 | Avago Technologies |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz |
增益 | 12.5dB ~ 14.5dB |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | Silicon |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | Bipolar |
最大工作温度 | + 150 C |
最大工作频率 | 30000 MHz |
最大直流电集电极电流 | 0.032 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 5.5V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 32mA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 at 5 mA at 2.7 V |
类型 | RF Bipolar Small Signal |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 5.5 V |
集电极连续电流 | 32 mA |
频率 | 30000 MHz |
频率-跃迁 | - |