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Datasheet下载- 型号： AT-32033-TR1G
- 制造商： Avago Technologies
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AT-32033-TR1G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AT-32033-TR1G由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AT-32033-TR1G价格参考。Avago TechnologiesAT-32033-TR1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 5.5V 32mA 200mW Surface Mount SOT-23。您可以下载AT-32033-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AT-32033-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Broadcom Limited生产的型号为AT-32033-TR1G的双极射频晶体管（BJT），主要应用于高频和射频信号放大领域。以下是其典型应用场景： 1. 射频功率放大器：该晶体管适用于设计和构建射频功率放大器，用于无线通信设备中对信号进行高效放大。例如，它可以在基站、无线电发射机和其他射频系统中提供稳定的功率输出。 2. 移动通信设备：在手机、对讲机等移动通信终端中，该晶体管可以用于提高信号强度，确保通信质量，特别是在低噪声和高增益要求的场景下。 3. 雷达系统：在军事或民用雷达应用中，AT-32033-TR1G可用于信号发射部分，帮助实现更远距离的目标探测和更高的分辨率。 4. 无线数据传输：在物联网（IoT）设备、无线传感器网络以及其他需要稳定射频信号传输的应用中，此晶体管可作为核心元件之一，提升数据传输效率和可靠性。 5. 测试与测量设备：在射频测试仪器中，如频谱分析仪、信号发生器等，该晶体管能够提供精确的信号放大功能，支持高性能测试需求。 6. 卫星通信：对于需要高可靠性和高性能的卫星通信地面站设备，该晶体管可以满足严格的射频性能要求。 总之，AT-32033-TR1G凭借其优异的射频特性，在各种需要高频信号处理和放大的场合中表现出色，广泛应用于通信、雷达、测试测量等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-23射频双极晶体管 Transistor Si Low Current |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 产品手册 | http://www.avagotech.com/pages/en/rf_microwave/transistors/silicon_bipolar/at-32033/ |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Avago Technologies AT-32033-TR1G- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-0796EN |
| 产品型号 | AT-32033-TR1G |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 70 @ 2mA，2.7V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | 516-1566-2 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 1.5 V |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz |
| 增益 | 11dB ~ 12.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 30000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.032 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 5.5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 32mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 at 2 mA at 2.7 V |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 5.5 V |
| 集电极连续电流 | 32 mA |
| 频率 | 30000 MHz |
| 频率-跃迁 | - |
