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  • 型号: AS6C1016-55ZIN
  • 制造商: ALLIANCE MEMORY INC
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  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供AS6C1016-55ZIN由ALLIANCE MEMORY INC设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AS6C1016-55ZIN价格参考。ALLIANCE MEMORY INCAS6C1016-55ZIN封装/规格:存储器, SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 55ns 44-TSOP II。您可以下载AS6C1016-55ZIN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有AS6C1016-55ZIN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC SRAM 1MBIT 55NS 44TSOP静态随机存取存储器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

产品分类

存储器集成电路 - IC

品牌

Alliance Memory, Inc.Alliance Memory

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

内存,静态随机存取存储器,Alliance Memory AS6C1016-55ZIN-

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产品型号

AS6C1016-55ZINAS6C1016-55ZIN

产品种类

静态随机存取存储器

供应商器件封装

44-TSOP II

其它名称

1450-1021

包装

托盘

商标

Alliance Memory

存储器类型

SRAM - 异步

存储容量

1 Mbit1M (64K x 16)

存储类型

SDR

安装风格

SMD/SMT

封装/外壳

44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

封装/箱体

TSOP-44

工作温度

-40°C ~ 85°C

工厂包装数量

135

接口

并联Parallel

最大工作温度

+ 85 C

最大工作电流

60 mA

最小工作温度

- 40 C

标准包装

135

格式-存储器

RAM

电压-电源

2.7 V ~ 5.5 V

电源电压-最大

5.5 V

电源电压-最小

2.7 V

类型

Asynchronous

系列

AS6C1016

组织

64 k x 16

访问时间

55 ns

速度

55ns

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