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  • 型号: APTC60TDUM35PG
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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APTC60TDUM35PG产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供APTC60TDUM35PG由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APTC60TDUM35PG价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APTC60TDUM35PG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 6 N-沟道(3 相桥) Mosfet 阵列 600V 72A 416W 底座安装 SP6-P。您可以下载APTC60TDUM35PG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有APTC60TDUM35PG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET MOD TRIPLE DUAL SRC SP6-P

产品分类

FET - 模块

FET功能

标准

FET类型

6 N-沟道(3 相桥)

品牌

Microsemi Power Products Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/7360-aptc60tdum35pg-rev2-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog

产品图片

产品型号

APTC60TDUM35PG

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.9V @ 5.4mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

14000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

518nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

35 毫欧 @ 72A,10V

产品目录页面

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供应商器件封装

SP6-P

功率-最大值

416W

包装

散装

安装类型

底座安装

封装/外壳

SP6

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

72A

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