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APTC60AM45BC1G产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N CH 600V 49A SP1 |
产品分类 | FET - 模块 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | - |
品牌 | Microsemi Power Products Group |
数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/123981-aptc60am45bc1g-rev1-pdf |
产品图片 | |
产品型号 | APTC60AM45BC1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | CoolMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 3mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 24.5A,10V |
供应商器件封装 | SP1 |
功率-最大值 | 250W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SP1 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 49A |