【晶体管 - FET，MOSFET - 单_APT66M60B2】封装/厂家_APT66M60B2中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > APT66M60B2

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： APT66M60B2
制造商： American Microsemiconductor, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

APT66M60B2产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供APT66M60B2由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT66M60B2价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT66M60B2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 600V 70A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX™ [B2]。您可以下载APT66M60B2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APT66M60B2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Microsemi Power Products Group
数据手册	http://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-cataloghttp://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/7226-apt66m60b2-l-e-pdf
产品图片
产品型号	APT66M60B2
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 2.5mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	13190pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	330nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	100 毫欧 @ 33A，10V
产品目录绘图
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
供应商器件封装	T-MAX™ [B2]
其它名称	APT66M60B2MI APT66M60B2MI-ND
功率-最大值	1135W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-247-3 变式
标准包装	30
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	70A （Tc）